zno基薄膜的异质结制备与应用研究材料物理与化学专业论文.docxVIP

⑧论文作者签名：錾拖照 ⑧ 论文作者签名：錾拖照 指导教师签名： 论文评阅人1： 随名迁阅△ 评阅人2： 隐名翌闼△ 评阅人3： 随垒迁闼厶 评阅人4． 随垒竖因厶 评阅人5： 随垒迁阅厶 答辩委员会主席： 委员1： 委员2： 委员3： 委员4： 委员5． 万方数据 Author’s Author’s signature：I么臼盥血甑Q 一 Supervisor7S signature： External Reviewers：』迎Q毅堡Q坠墨B曼Yi星盟盟 』选Q幽[堕Q旦曼B曼Yi星盟丛 Examining Committee Chairperson： Wenj ian WengkProfessorkMSE,Zhej iang University_．．．．．—— Examining Committee Members： Zhizhen YekProfessofl MSE,Zhei iang University．．．．．．．．．．—— ．Zheng—uo JikProfessoflHangzhou Dianzi University—．．．——．．． 堑坠垫里!Q堡墨曼Q趟曼基星，至鱼自i堑g堕塾iY曼堡煦 Xinsheng PengkProfessoflMSE,Zhej iang University．．．．．．．．．．—． LiPi塾g圣趋些鲨!Q鱼墨墨Q!邀S亘，垫自i垒塾g堕塾i∑皇堡i盟 Date of oral defence： 』坠垒曼21h，2Q!§ 万方数据 浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 浙江大学研究生学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果，也不包含为获得逝洹太堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一 同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名：害≯聿色螽奠签字日期：卯7歹年 多月，f曰 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解 逝江太堂 有权保留并向国家有关部门或机构送交本论 文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权逝鎏太堂可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保 存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名：高鞫敏 导师签名．毕噶 签字日期：砷劳石月／1日 签字日期：_乙户』j年占月∥／ 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 ZnO室温下的禁带宽度为3．37 eV，吸收边位于紫外波段，在可见光区透明， 与MgO合金化得到的更宽禁带的ZnMgO薄膜可应用在深紫外光电器件中。掺 入A1、Ga和F等施主掺杂剂可以有效地改善ZnO的本征n型导电性能。科技的 进步促使电子器件朝柔性化、超薄化方向发展，迫切需要发展柔性透明导电材料。 因此，制备柔性透明导电ZnO基材料具有非常重要的现实意义。在本论文中， 我们采用脉冲激光沉积技术(PLD，Plused Laser Deposition)制备了F掺杂ZnMgO (ZMOF)透明导电薄膜，此外，为了满足柔性器件的应用要求，我们还开展了 柔性ZMOF透明导电薄膜的研究。 由于制备高质量、可重复并稳定存在的P型ZnO仍是一个难点，导致ZnO 同质结器件的制备困难，因此，选用P型NiO与n型ZnO制备的ZnO基异质结 器件受到广泛关注。在ZnO／NiO异质结的基础上，我们通过调节Mg含量来制 备不同禁带宽度的Nil一xM敫O薄膜，与ZnO和ZnMgO制备成异质结器件并深入 研究其能带结构。 1．采用PLD方法在石英衬底上制备了ZMOF薄膜。350 oC，0．001 Pa条件 下制备的ZMOF薄膜(3 at．％的F，10 at．％的Mg)具有最好的光电性能，电阻 率最低为6．92x10’4 Qcm，在整个可见光区的透过率超过85％，且用湿法腐蚀方 法制备了绒面ZMOF薄膜。 2．利用PLD技术在柔性衬底上制备了ZMOF薄膜，通过引入ZnO缓冲层， 提高了薄膜晶体质量，消除了裂纹，电阻率从1．55 Qcm降低到1．70x10’2Qcm， 迁移率从O．573 cm2V。1S。升高到11．7 cm2V‘1S一，大大提高了其电学性能。 3．利用磁控溅射仪器对以F掺杂ZnO(FZO)为代表的ZnO基薄膜进行了 真空退火和H等离子体处理。处理后的FZO薄膜结晶质量更好，电学性能更优， 尤其是迁移率实现了3．10倍的增长。我们通过第一性原理计算研究了H在FZO 中的位置及能态，发现在ZnO晶格中靠近Fo的间隙位的氢