大功率静电感应器件的研制微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

大功率静电感应器件的研制微电子学与固体电子学专业论文.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
大功率静电感应器件的研制微电子学与固体电子学专业论文

兰髑大学硕士学位论文 兰髑大学硕士学位论文 摘要 攘要 静电感应器件(Static Induction Device_—峭ID)是一类新型的电力电子器件, 主要包括静电感应晶体管(Static Induction Transistor_—_sIT)、双极型静电感应 晶体管(Bipolar一滟de Static Induction Transistor——髂I彳)和静电感廒晶阑管 (Static Induction Th”i8tor.—_sITH),具有其它半导体器件无法比拟的一系列优 点,如控制功率大、工作频率高、电流容量大、耐高压、功耗小、噪声低、抗辐射能 力强、开通关断全可控等,在很多领域得到了广泛的应用。 本论文系统地阐述了SIT、SITH的作用理论,着重介绍了SID的结构、I叫特性、 电流传输机制及沟道势垒的形成。在此理论基础上,结合器件制造的特点,对器件的 相关参数进符了讨论分析,并给出了具体的定值,利用L-edit版图设计软件设计了新 的版图。 实验以制备电性熊优良的SID为出发点。结合SITH制作的经验和存在的|、掰题,在 外延工艺中解决了外延反型的工艺难点,在挖槽工艺中使用三步刻槽法,得到稳定的 外延工艺和挖槽工艺条件,通过大量的实验,对部分工艺条件进行了调整:通过工艺 参数的调节,得到了具有典型混合卜矿特性的复合SIT的工艺条件。通过对试制管芯 的测试,基本电性能有了明显的改善,说明了制作方案是合理的、可行的。 关键词:静电感应器件、电力器件、版图设计、外延工艺、刻蚀工艺 兰州大学硕士学饿论文 兰州大学硕士学饿论文 Abstract Abstract Static Induction Devices(SIDs)mainly include Bipolar-Mode Static Induction Transistor03sro,StaticInductionTransistor(SIT)andStaticInductionThyristor(SITrO. Being one kind of novel power devices,SIDs for high operating frequency and high power application has attracted many scientistsgreat attention and has gained significant developments,since SIDs have many excellent electrical performance,such as low distortion, low noise,good linearity,no second breakdown,negative temperature coefficient,high output power and SO on. In this paper,we described the operational mechanism of SIT(SlT8),emphasized the structure,bV characteristic,the theory of the current transition and the formation of channel barrier of SIDs.Based on these theories,we discussed and analyzed the regulation of constructional parameters,material parameters,and technological parameters,and their value has been given.We alSO used the L-edit software to design our new layouts. Under the goal of getting good electrical property SIDs,Combining with our experience and problems,in the epitaxial process,the self-doping phenomena are examined,in the etching process,the three trench-layouts are

您可能关注的文档

文档评论(0)

131****9843 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档