电力电子器件及电力二极管.pptVIP

3.2开关特性 二极管从低阻转变成高阻或从高阻转变成低阻并不是瞬时完成的，这些转变都要经历一定的过程。二极管从高阻的反向阻断状态转变成低阻的正向导通称为正向恢复，从正向导通转变为反向阻断称为反向恢复。 * 4 电力二级管的主要参数 * 额定正向平均电流——在指定的管壳温（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 （1）额定正向平均电流IF(AV) 最大工频正弦半波电流的平均值 * 电力二级管电流 IF(AV) * 可求出正弦半波电流的波形系数: 定义某电流波形的有效值与平均值之比为这个电流波形的波形系数，用Kf表示： 额定电流的选择 有效值 正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，因此使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 * 指器件能重复施加的反向最高峰值电压（额定电压） 此电压通常为击穿电压UＢ的2/3。使用时，往往按照电路中功率二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定 （3） 正向压降ＵF： 指规定条件下，流过稳定的额定电流时，器件两端的正向平均电压(又称管压降)。其正向导通流过额定电流时的电压降UFR一般为1～2V。有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降 （2）反向重复峰值电压ＵRRM： 指器件中ＰＮ结不至于损坏的前提下所能承受的最高平均温度。ＴjM通常在125～175℃范围内。当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略 （4） 反向漏电流ＩRR： 指器件对应于反向重复峰值电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRR受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 （5）最高工作结温ＴjM： 5 电力二极管的主要类型 1. 普通二极管（General Purpose Diode） 用于工频整流的功率二极管又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 其反向恢复时间较长，一般在5μs以上，这在开关频率不高时并不重要 正向定额电流和反向定额电压可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上 * 5 电力二极管的主要类型 2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode—— FRD） 恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5μs以下）的二极管，也简称快速二极管。工艺上多采用了掺金措施,有的采用PN结型结构也有的采用改进的PiN结构，采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在400V以下 * 5 电力二极管的主要类型 * 3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管 20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在功率电子电路中广泛应用 肖特基二极管的弱点 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下 反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度 5 电力二极管的主要类型 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns） 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 * 6 电力二极管的型号和选择原则 电力二极管的型号 * * 6 电力二极管的型号和选择原则 电力二极管的选择原则 （1）选择额定正向平均电流的原则 在规定的室温和冷却条件下，只要所选管子的额定电流有效值大于管子在电路中实际可能通过的最大电流有效值 即可。考虑元件的过载能力，实际选择时应有1.5~2倍的安全裕量。计算公式为：  * 6 电力二极管的型号和选择原则 电力二极管的选择原则 （2）选择额定电压的原则 选择功率二极管的反向重复峰值电压等级（额定电压）的原则应为管子在所工作的电路中可能承受的最大反向瞬时值电压 的2~3倍，即  * 6 电力二极管的型号和选择原则 电力二极管的选择原则 （1）选择额定正向平均电流的原则 在规定的室温和冷却条件下，只要所选管子的额定电流有效值大于管子在电路中实际可能通过的最大电流有效值 即可。考虑元件的过载能力，实际选择时应有1.5~2倍的安全裕量。计算公式为：  * * 电力电子器件 电力电子器件概述 电力电子器件的特征 电力电子器件系统组成