我国导热材料及器件行业市场综合发展态势图文分析报告.docVIP

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我国导热材料及器件行业市场综合发展态势图文分析报告.doc

我国导热材料及器件行业市场综合 发展态势图文分析报告 一、导热器件工作原理 电子产品的性能越来越强大,而集成程度和组装密度不断提高, 导致其工作功耗和发热量的急剧增大,这意味着能否有效散热变得比 以往更为重要了,这一趋势为导热材料的发展提供了机会。在热力学 中,散热就是热量传递,而热量的传递方式主要有三种:热传导,热 对流和热辐射。根据热的传递方式,散热系统可以由风扇、散热片(如 石墨片、金属散热片等)和导热界面器件组成。其工作原理以普通的 CPU风冷散热器为例,CPU散热片通过导热界面器件与CPU表面接 触,CPU表面的热量传递给CPU散热片,散热风扇产生气流将CPU散 热片表面的热量带走。 对流及轧射 传导 对流及轧射 传导 导热界面器件功能是填充发热元件与散热元件之间的空气间隙, 提高导热效率,通常用于通讯设备、计算机和外设、功率变换设备、 存储模块、芯片级封装等领域。未采用导热界面器件时,因为发热元 件与散热元件表面的微观不平度,使两者之间的有效接触面积,大部 分被空气隔开,不能有效散热,影响产品的工作稳定性及使用寿命。 采用导热界面器件能实现热的有效传递,提高电子产品的工作稳定性 及使用寿命。 采用及未采用导热界面器件的散热效果图如下: 散热岛件丿\ 散热岛件 丿\ f \ / \ / / \ MHi b ■ ? \ \ I、fHl A \ 11 H ft 散热色件 石墨片的工作原理是利用其在在水平方向上具有优杲的导热系 数的特点(性能好的石墨片导热系数能达到1500-1800W/m-K,而一 般的纯铜的导热系数为380W/m?K,高的导热系数有利于热量的扩散), 能够迅速降低电子产品工作时发热元件所在位置的的温度(热点温 度),使得电子产品温度趋于均匀化,扩大散热表面积以达到降低整 个电了产品的温度,提高电了产品的工作稳定性及使用寿命。 二、导热材料及器件行业的发展 1947年第一个晶体管问世,彻底改变了电子线路的结构,集成 电路以及大规模集成电路应运而牛.,人们使用陶瓷片、云母片+导热 膏的组合方法来解决晶体管与散热片间的导热绝缘界面问题。20世 纪80年代,高导热多胶粉云母带的制成,解决了陶瓷片及云母片硬 度大、易碎等问题,导热器件进入弹性体基材时代。20世纪90年 代,随着个人电脑的迅猛发展,微处理器(CPU)的性能不断提升, 与散热装置间的导热要求越来越高,导热材料不断更新、升级。更高 导热系数的填料及基材的试验成功,推动了导热器件的多元化发展。 以硅胶、石墨为基材的导热材料发展迅速,导热相变材料开始批量应 用。 21世纪初,移动互联网热潮的兴起,手机、平板电脑等手持设 备仅靠壳体散热,带来导热器件的巨大需求,并不断提升器件的柔软 要求,各厂家推出了各种导热硅胶垫以及导热胶、导热泥、导热凝胶、 导热石墨膜等新产品。此外,液态导热胶和导热胶带产品也在铝基板 电路、电源、汽车电了等行业中得到更多应用。冃前导热界面器件主 要有:导热膏、片状导热间隙填充材料、液态导热间隙填充材料、相 变化导热界面材料和导热凝胶等。 目前,行业内广泛应用的导热器件包括导热界面器件、石墨片等, 其主要特征、应用领域和示例图形如下: 材料矣别 主鼻待征、应用抽1 ■ 禾例图形 甘於■主宴为?以。机肝催为主?KM?海加耐熾、甘 熾性耗优片的材H?船阪的H熾空作机肝朋状ttftW?导熾■箱 本身导离、胶圧用度篇、附善侏力々小、再加工性好等优点. 广泛用F功*放大:Bk 4Atiff.电子if、CPU尊电子Iftbft的# 於及敢対?从而保迂电子仪日、仪震W的电Htttt的4宅? ■ 片状导熾间 味坝允M料 片状甘也何床填允材H在厅业内.也bi?Z为#於乳胶片?甘熾 矽胶垫?导於畤胶工?绝绰导后片.辕性敵煤工等#?好 的导熾絶力、一定的柔切性、优良的fftrtftW可斥缩性.专门为 利用统P#仞心熾It的设il方裳生产的復制成5?产£?应够填允磁 PR ?充阪发处算位与敢熾肌位何的熾传暹.可用用在%种元S件浪 血与tt?B.外光零之何导馬、絶绿、帖臥防H零作用.谡类 产品可任@徴切.WF#足1*1动化生产和产ttffllP?仔昨产骷通 iituawffmM.丧血金m圧?方式來塢加其机威冬度及可掾低 性.还気导熾胶帯尊典*辂樓爭附加功絶的产从. A ■ 材料矣别郴竇化#熾 界面材料 材料矣别 郴竇化#熾 界面材料 石*片 液右甘熾何建坝允村料乂称#舲般?从一种狀地成影的导將产 m?uaw化n仔一宜的灣动性.坝允性能好.尤其适合对斥力 敏s、何陳不好控制成倡蛙牧大、u平荷丧页等场令?囲化后的 HMft牧低的HtSt和牧好的记忆斥耀彤变2何达到半衛?U F? MMtt.常用于汽牟电子.通讯设孑.illT机和外设中发能* 导S和敵煥口2何的号於

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