全桥硬开关逆变焊机分析.PDFVIP

嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 2010—11—15 全桥硬开关逆变焊机分析 编写：陈浩 审阅：Norman Day 前言： 本文以 IGBT 全桥硬开关逆变焊机为基础，把理想和实测波形进行比较分析，进 一步展示 IGBT 全桥硬开关逆变焊机的时序变化过程,让初学者能对模块在全桥硬开 关逆变焊机中的应用有一个初步的了解。 全桥和半桥硬开关逆变焊机的区别： 硬开关逆变焊机主要有全桥和半桥两种，如图一所示。全桥和半桥架构的逆变 原理、输出电压的调节和降压变压器相同，主要透过 PWM 的占空比因数来控制输出 电压。最基本的区别是全桥硬开关逆变焊机运用4 只开关管组成逆变电路。通常情 况下，全桥硬开关逆变焊机都选用两个由两片 IGBT 芯片封装一个封装内的半桥模块 来构架，（对于模块的选用，可参考应用心得文章《斯达IGBT 模块在电焊机应用中 的选型》）。一般常见的是上下管交替导通，对管同步导通；半桥硬开关逆变焊机用 两只电容代替一组上下管，利用另一组上下管替换导通，两电容上的电压都是直流 母线电压的二分之一，故焊机的调压范围也只有二分之一的直流母线电压，那么要 设计最大输出功率相同的焊机，半桥硬开关逆变焊机所需的模块额定值是全桥的两 倍，所以半桥硬开关逆变焊机在实际应用时相对受限。 全桥 半桥 图一 硬开关逆变电路示意图 1 Application Note AN9009 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 主电路结构： 主逆变电路原理图如图二所示，Vin 一般为市电进过整流、滤波、稳压处理后的 直流母线电压，Q1、Q2、Q3、Q4 为功率开关管（IGBT ），D1、D2、D3、D4 为 IGBT 反并联续流二极管，C1、C2、C3、C4 为 IGBT 内部自身电容，IGBT 和 IGBT 反并 联续流二极管一般封在一个 IGBT模块中，直流母线电压正极电压加在模块上管（Q1、 Q3 ）的集电极，负极电压加在下管（Q2、Q4 ）的发射极。Llk 等效为变压器原边的 漏电感。变压器二次侧通常都采用中间抽头的方法，有两组输出，D5、D6 为变压器 二次侧部分的整流二极管，Lf 为变压器二次侧等效电感。R1 为变压器二次侧等效电 阻，在实际操作中相当于焊机焊接端设备和焊料或焊条在焊接回路中所等效的电阻。 主逆变电路基本工作原理为：每个桥臂上的上开关管 Q1 （Q3 ）和下开关管Q2(Q4) 在一对相位互差 180°的驱动波作用下，轮流导通和关断。Q1 和 Q4 驱动波形同步， Q2 和 Q3 驱动波形同步。输出电压的改变主要是通过调节各个 IGBT 开关管的占空 比 D 来实现，即控制 Q1Q4 和 Q2Q3 在一个周期中的有效开通时间。在模块上下管 开通过程中，一般必须保证足够的死区时间以避免直通。 图二 主逆变电路结构示意图 2 Application Note AN9009 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 理想电路控制时序分析： 图三 理想波形图 图三为 IGBT 全桥硬开关逆变焊机的理想波形图。图中绿色表示 Q1 的集电极— 发射极电压波形，黄色表示变压器一次侧上的电流波形。以下分析忽略 IGBT 内部自 身电容 C1、C2、C3 和 C4 的影响，忽略变压器中的激磁电感，假设 If 为二次侧电 感 Lf 上电流,Ic 为变压器一次侧的电流，定义 Q1Q2 流向 Q3Q4 的方向为电流正方 向，在一个开关周期中输出电压 Vo 可视为恒定值。变压器的匝数比为 n：1。占空 比 D 中橙色部分为有效占空比