掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备与特性研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

山东大学博士学位论文中文摘要 山东大学博士学位论文 中文摘要 透明导电氧化物(TCos)薄膜在可见光区具有很高的透过率、在红外区具有 很高的反射率、并且具有较低的电阻率。因此在太阳能电池、平板显示和有机发 光二极管(OLED)等领域得到了广泛的应用。在各种透明导电氧化物薄膜中，ITO 的应用最为广泛，这是因为ITO具有较低的电阻率、较高的功函数、在可见光区 具有较高的透过率。但是ITO也存在许多缺点，例如在OLED中，ITO／空穴传输 层界面具有较高的势垒，能够影响空穴的传输；镏元素容易向有机层中扩散，降 低器件的性能；另外铟在自然界中的含量较少，所以制备ITO薄膜的成本较高。 近年来，ZnO及其掺杂体系被广泛研究，有希望成为ITO的替代材料。目f；i『掺Al、 Ga、In、Zr、B和稀土等元素的ZnO薄膜已经用各种技术制备出来。尽管如此寻 找新型的透明导电氧化物薄膜仍然是非常有意义的。 M06+的离子半径为6．2×10。11 m，比Zn2+的离子半径(7．4×10Ⅲm)小，因此 理论上存在M06+替代Zn2+的可能性。并且M06+和zn2+价态差4这一点是非常吸引 人的，因为一个掺杂原予可以提供更多的电子。在相同的掺杂浓度下，掺Mo的 ZnO薄膜(MZO)具有更高的载流子浓度；另一方面，相同的载流子浓度情况下， MZO薄膜中需要掺入的杂质量更少，从而能够减小薄膜中的缺陷，提高载流子迁 移率，降低薄膜的电阻率。 我们采用射频磁控溅射技术，在玻璃衬底上成功制备出了MZO薄膜。利用 XRD、SEM、AFM和XPS等分析手段对薄膜的结构、表面形貌和化学性质进行了 表征，利用霍耳测试仪和分光光度计分别对薄膜的电学和光学性质进行了测量， 总结了大量的数据。详细研究了杂质的掺杂量、薄膜厚度、溅射功率、氩气压和 衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响。在MZO的应用方面，我们利用 MZO薄膜作为阳极、以MZO薄膜作为阳极，制备出具有MZO／TPD／AIq3／AI结构 的有机发光二极管。具体的研究内容和主要结果如下： 山东大学博士学位论文■■■|■■_I■■■__■_●●●■___●●■●■_■■■■■■____E■E●■■●，E■●■■■■●■●■_■■■●■_●■■●■__■目●__日●■■_■日●●，E■●_ 山东大学博士学位论文 ■■■|■■_I■■■__■_●●●■___●●■●■_■■■■■■____E■E●■■●，E■●■■■■●■●■_■■■●■_●■■●■__■目●__日●■■_■日●●，E■●_ 1．XPS分析表明。薄膜中除了有M06+存在之外，还有M05+和M04+存在，这 是与溅射过程中氧的丢失有关。M06+，M05+和M04+的离子半径都比Zn2+的离子半 径小，根据掺杂条件我们认为这三种铝离子对薄膜的电导都有贡献；Ols光电子能 谱进行高斯拟合，得到531．6和530．0 eV两个峰，分别对应于氧空位和02‘于Zn2+ 的键合，Zn 2p3／2能谱表明Zn保持+2价，没有金属态的Zn存在。 2．X射线衍射显示溅射制备出的MZO薄膜为多晶薄膜，具有六角纤锌矿结 构，Mo的掺杂未改变ZnO的六角纤锌矿结构。MZO薄膜具有c轴择优取向，这 是因为ZnO(002)晶面在ZnO晶胞中具有最小的晶面自由能，ZnO(002)峰的 位置在20=34．128～34．428。范围内，与标准ZnO(002)衍射峰非常接近，说明Mo 能够替代晶格中Zn的位置而提供电子。MZO薄膜的f轴晶格常数比纯ZnO薄膜 的小，进一步说明Mo离子替代了晶格中的Zn离子。 3．为了研究杂质含量对薄膜性质的影响，我们制备了M003含量不同的五个 靶，MoOs含量分别为0，l，2，3和5Ⅲ．％，研究发现MZO薄膜的最佳掺杂比 例为2吼．％。随着M003含量从0增加到2 wt．％，ZnO(002)衍射峰的强度增加， 薄膜的结晶质量得到提高，晶粒尺寸从16 nil]增加到25 nm，晶界散射减小，霍耳 迁移率的增／Jth随着M003含量的增加，更多的Mo原子替代晶格中的Zn原子， 提供更多的电子，载流子浓度增加。载流子浓度和霍耳迁移率的增加导致电阻率 的降低。随着Mo％含量继续增加，薄膜晶化程度变差，晶粒尺寸迅速降低到5 霍耳迁移率明显变小；更多的Mo原子不能替代zn原子而在薄膜中形成缺陷，导 致电活性Mo原子的数量减少，载流子浓度减小，电阻率升高，薄膜在可见光区的 透过率也明显降低。随着M003含量增加，透过率曲线的吸收边先向短波方向面后 向长波方向移动，吸收边的移动主要与载流子浓度有关，我们把这一现象归因于 B．M效应。 4．薄膜的结构、光学和电学性质受薄膜厚度的影响。随着薄膜厚度从50 am 增加到400 nm，薄膜的表面粗糙度从1．2 rim增大到5