高压阳极铝箔退火对织构的影响及腐蚀扩面工艺研究材料加工工程专业论文.docxVIP

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高压阳极铝箔退火对织构的影响及腐蚀扩面工艺研究材料加工工程专业论文

摘要摘要 摘要 摘要 高静电容量的铝电解电容器,是目前广泛应用于电子元件的电容器之一, 其静电容量的大小主要由阳极铝箔的电容大小决定,当前主要是通过提高高压 阳极铝箔表面积来增加电容。提高阳极铝箔立方织构含量,改善组织结构是获 得高比电容的前提条件。优化腐蚀工艺,扩大阳极箔表面积,高压箔比电容会 大幅度提高。本论文主要是通过对中间退火工艺和成品再结晶退火工艺的研究, 提高高压箔立方织构含量;通过研究直流腐蚀发孔和扩孔,获得高扩面倍率的 腐蚀箔。为完全实现高压箔的国产化提供理论和技术支持。 采用光学显微镜(OM)、X射线衍射(XRD)、背散射电子衍射(EBSD)、扫描 电子显微镜(SEM),交流阻抗谱(EIS)等分析测试手段,系统研究了高压箔在退火 过程中组织和织构的演变,及退火工艺对性能的影响,优化了铝箔退火工艺; 研究了腐蚀条件对高压箔腐蚀性能的影响,获得了适合高压箔直流腐蚀的实验 参数。 实验表明,冷轧板中间退火时,随退火温度的升高,平均晶粒变大,再结 晶速率增加。冷轧板在350℃/2h退火后立方织构占有量为20%,组织均匀,变 形抗力低,是较合适的中间退火参数。冷轧箔初始织构为S、铜织构和约10%的 立方织构时,最终再结晶退火后能得到高强度的立方织构。 研究表明,冷轧箔成品再结晶退火立方织构含量与退火温度、加热时间和 退火方式有关。延长退火时间,提高退火温度,都有利于立方织构的提高。 240℃/1h+540℃/lh退火时,立方织构能达到97%以上,同时力学和腐蚀性能也 满足要求。 讨论了立方织构演变过程和形成机理,认为立方织构是在不连续再结晶过 程中由S和铜型织构演变而来。立方织构形成是定向形核和择优生长的综合结 果。 腐蚀发孔实验表明:温度对电容影响最大,H2S04浓度和腐蚀时间影响次之, 电流密度影响最小。较好的发孔工艺参数为:腐蚀液lmol/LHCI+2mol/LH2S04, 温度80℃,电流密度0.6A/em2,时间60s。 腐蚀扩孔实验表明:腐蚀液中Al”浓度主要影响蚀孔密度,对腐蚀表面积影 响不是很大,og(A13+)为l%时比电容较大。随着电流密度的提高,比电容先增大 II II AbstractAbstract Abstract Abstract The hi曲capacitance of aluminum electrolytic capacitors,ar e widely used in electronic components.At present,the capacitance of the anode aluminum foils used in high voltage electrolytic capacitors is determined by its surface area.In order to increase the surface area,the cube texture contents and the structure must be improved.The method of DC electrochemical etching is usually adopted for increasing specific capacitance of high voltage anode aluminum foils.In this paper, the intermediate annealing and final recrystallization annealing were investigated to increase the volume fraction of cube texture.Electrochemical pining and tunnel..widening had been researched to obtain the large surface area of etched foils. It is expected that this work can give theoretical and technical support to the development of fully domestic high voltage anode aluminum foil. The microstructure,evolution of textures and electrochemical etching Was investigated with analytical techniques such as optical microscopy(OM),X。ray diffraction(XRD),electron bac

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