变异链球菌htra及clpp基因对其生长特征影响的初步研究口腔医学口腔临床医学专业论文.docxVIP

天津医科大学硕士学位论文中文摘要 天津医科大学硕士学位论文 中文摘要 目的建立变异链球菌标准株、htrA基因缺陷株、clpP基因缺陷株及htrA—clpP 双基因缺陷株的生长模型，观察比较几种菌株在不同碳源条件下的生长情况的 差异；通过检测试剂监测各菌株在不同碳源培养基中生长过程中消耗碳源情况 的差异来分析比较clpP基因及htrA基因在变异链球菌生长能力方面的功能。 方法利用变异链球菌标准株及前期实验构建成功的htrA基因缺陷株、clpP基 因缺陷株及htrA．clpP双基因缺陷株，将其分别培养在含有1％葡萄糖、1％蔗糖 及无碳源的TPY培养基中，在37。C微需氧条件下培养，采用酶联免疫检测仪， 以一定的时间间隔测定各菌株在各时间点的吸光度值(彳值)分别确定各菌株在 各培养条件下的生长曲线，同时通过葡萄糖氧化酶法试剂盒及蒽酮．硫酸法测定 各菌株在其生长过程中的耗糖情况。分别比较各碳源条件下各菌株的生长曲线 和耗糖情况的差异。 结果在含有1％葡萄糖的普通TPY培养基中，缺陷株生长的对数期较标准株 短，且吸光度值的峰值明显低于标准株(pO．05)。在整个生长期三种缺陷株的 OD值都较接近，无明显差异。在对数期阶段，三种缺陷株的耗糖量均明显高于 标准株，而进入平台期后各缺陷株与标准株的耗糖量逐渐接近，但在各个时间 点各种缺陷株与标准株耗糖量的差别均有统计学意义(p0．05)。在蔗糖作为碳 源的条件下培养时，各菌株吸光度值的峰值均高于葡萄糖条件下生长时的同种 菌株，标准株消耗蔗糖的量稍低于各缺陷株(pO．05)，缺陷株的耗糖情况无明 显差异(pO．05)。无碳源条件下，标准株和缺陷株的细胞增殖能力及吸光度值 均明显较葡萄糖条件下低，并且缺陷株的吸光度值峰值低于标准株。 结论变异链球菌的htrA基因和clpP基因对其生长、耗糖能力以及饥饿耐受能 力均有一定的影响，变链菌的标准株和缺陷株在蔗糖作为碳源时菌株的生长能 力均较葡萄糖条件下降。 关键词： 变异链球菌htrA基因clpP基因 吸光度值耗糖能力 AbStract．Ob矾ive：In AbStract． Ob矾ive：In order to compare the difference of the growth characteriStlc b咖een me strains when也ey were Streptococcus mutans standard strain and the mutant the Standard cultivated in different c抽on source conditions，the growth models of alld the strain，the htrA gene muta朋【t strain，the clpP gene mutant strain htrA。clpP of the htrA gene and the clpP gene for the gene mutant strain were built．The function the carbon 盯owth capacity of the Streptococcus mutans were analysed by monitoring soⅢce cons唧tion of the four kinds of strains which grow in the culture medl啪 wim dif-ferent carbon source through detection reagent· Methods：We cultivate the standard strain，the htrA gene mutant strmn，the ctpP gene that ml】tant strain and the htrA。clpP gene mutant strain separately in the TPY culture under 3 7。C a11d contained 1％of sucrose or 1％of glucose，they were cultivated to a anaerobic condition，We determined the growth curve of each strain according the certain space of time through Thermo Labsystems，in the meantime，we assayed cons啪ption of sucrose and glucose for each strain using the anthrone—V1协ol test and c