ULSI铜互连中电迁移可靠性分析与其工艺整合优化.pdfVIP

动着整个产业优胜劣汰、不断进步。一批勇于创新的企业随着他们先进的工艺 存活了下来，成为这个行业的翘楚。随着芯片面积的缩小，发热现象日益明显， 尤其是当晶体管的尺寸接近物理极限时，电子的运行也难以控制。科学家们也 在质疑“摩尔定律”能否继续引领整个产业。近几年随着科技水平的进步与发 展，各种新材料、新工艺、新结构的出现，使得晶体管的发展能够继续沿着“摩 尔定律”的指引趋势走下去，带领着信息技术的新发展，创造出一个“后摩尔 时代”。 图1．6摩尔定律 1．2半导体集成电路制造技术的发展 一块完整的集成电路芯片的诞生，历经版图设计，模拟仿真，版图综合， 芯片制造，封装测试等多个环节，其中半导体制造在整个集成电路产业链中起 着重要的推动作用。 锗材料被用在最早期的半导体分立器件和集成电路上。锗本身属于较为活 泼的材料，它和介质材料的界面容易发生氧化还原反应产生较多缺陷，影响器 件性能。另外由于锗晶体储量较少，后期大量生产成本较高，无法承担现代化 生产的重任，所以人们开始寻找替代材料。通过材料学家多年的研究，发现了 一种物质——硅。硅晶体在地球储量很大，而且价格便宜，提纯工艺完善，可 以通过自身氧化和退火获得非常完美的界面。 早些年的集成电路基本都是芯片设计厂商制造的，后来由于设计越来越复 杂，集成度越来越高，不得不研发新的工艺和设备。硅片制备上，从最早的2 英寸(50mm)硅片发展到现在主流的12英寸(300mm)，还有在研发中的18 0xidationofSilicon， 英叫‘(450mm)。隔离技术也从最早的硅的选择氧化(Local TrenchIsolation，STI)以及绝缘 LOCOS)发展到现在的浅沟槽隔离(Shallow 衬底硅(SiliconOn 气 万方数据 UltraViolet)光刻机。同时化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing，CMP)， 离子注入(Implant，IMP)，化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)， 物理气相沉积(PhysicalVapor 成电路制造水平遵循着“摩尔定律”，从开始的1扯m，0．50pm，到后来的0．25“m， m，65nm，45 0．18肛m，0．13¨m，到现在主流的90 nm，甚至像台积电(TSMC) m，28 m。 和英特尔(Intel)已经开始量产3211m乃至14 由于集成度的增加和线宽的等比例缩小，常规的平面晶体管技术已经难以 Shallow 变硅(StrainedSilicon)，超浅结(Ultra MetalGate，HKMG)等新技术新材料的研究和成熟应用，晶体管也朝着更小、 更快、更省电的方向发展。 图1．7ASML公司1950I浸入式光刻机图1．8英特尔公司的3D晶体管 越是先进的工艺，对技术、机台甚至是环境的要求也越严格，这些更为严 格的要求也意味着更大的资金投入。目前一条主流的12英寸铜制程的生产线至 少需要投资几十亿美金，而后期的设备维护和折旧成本更是数以千万计。单纯 的设计公司已经没有能力维持这么大的一笔开销，于是纷纷将制造分离出去， 成为专注于设计的无生产线设计公司(Fabless)。而制造业则整合资源，成立芯 片制造厂(Foundry)，他们专注于半导体工艺研发和生产制造。机台厂商也专 注于新机台的研发。精密的分工