掺杂二氧化硅玻璃光敏性及光纤光栅器件研究光学专业论文.docxVIP

Y Y 769552 博士论文指导小组成员： 王文澄教授 刘丽英教授 徐雷教授 掺杂二氧化硅玻璃光敏性及光纤光栅器件研究 掺杂二氧化硅玻璃光敏性及光纤光栅器件研究 摘要 摘 要 本文首先综述了1978年以来玻璃光敏性研究的简要历史及玻璃光敏性研究所取 得的典型成果；分析了掺锗二氧化硅玻璃光敏性色心模型中两种光致缺陷转化的过程， 以及载氢工艺提高掺锗二氧化硅玻璃光敏性的机理；介绍了掺锡二氧化硅玻璃光敏性 的特点和近年来所取得的最新研究成果，解释掺锡二氧化硅玻璃光敏性产生机理的几 种观点。同时，概述了基于光纤光敏性而制备的光纤光栅的基本特性、制作技术、及 其在传感领域的应用。 本论文研究了掺锡二氧化硅玻璃的光敏性及其产生的机理，开展了高双折射光纤 光栅的传感特性研究，进行了基于1053 nlTt光纤布拉格光栅的几种光纤器件的实验研 究。 首次采用MCVD方法和液相掺杂工艺在纯二氧化硅玻璃基板上制各出具有光敏 性的掺锡二氧化硅玻璃薄膜，提出了以Fresnel公式为基础的研究玻璃薄膜光致折射 率变化的新方法，采用248 nln的准分子激光对掺锡二氧化硅薄膜进行照射，获得了 2×10’4(波长为1550 rim)的光致折射率变化。通过研究掺锡二氧化硅薄膜在不同条件 的紫外激光照射下所产生的光致紫外吸收变化和对其Raman光谱的分析，发现掺锡二 氧化硅薄膜光致折射率变化的机理与照射的紫外激光脉冲的能量密度有关，在高能量 密度(约50 mJ／cm2，266 nm)照射下，其光敏性主要是由微观结构变化引起的，这种 微观结构的变化始于与缺氧中心(sn—ODCs，Si—ODCs，和si．E’)有关的键的断裂。在相 对低的能量密度(约10 mJ／em2，266 rim)照射条件下，掺锡二氧化硅薄膜的光敏性 主要归结于光学活性缺陷的光致转化，并可以用Kramers—Kronig关系式来解释。发 现掺锡二氧化硅薄膜受低能量密度(约10 mJ／cmz，266 nm)照射后，在252nm的吸 收峰被漂白的同时，分别在194nm、212nm和263nm处出现新的吸收带，初步分析 认为：这些吸收与锡的缺氧缺陷中-L,(Sn—ODCs)有关。同时，通过对掺锡二氧化硅薄 膜分别在高温、高压的氧气和氮气中退火前后的Raman光谱的研究，发现氮在一定条 件下容易扩散到采用MCVD工艺制作的掺杂二氧化硅薄膜的现象，这意味着可能可以 通过MCVD和气体扩散工艺来制作具有耐辐射特性的掺氮二氧化硅薄膜和光纤。 首次采用MCVD法和液相掺杂工艺制备了镱锡共掺二氧化硅玻璃的光纤预制棒， 这种材料同时具有掺锡二氧化硅光纤特有的高光敏性和掺镱二氧化硅光纤的光致发光 特性。研究结果表明镱锡共掺光纤预制棒中的镱和锡之间没有发生影响各自特性的负 面作用。在实验中，我们观察到预制棒受266 nell激光脉冲照射后产生了高达2x10‘4 的光致折射率变化量，而紫外照射基本上不影响材料的光致发光谱(eL谱)。通过对紫 外吸收变化和Raman光谱分析，发现这种镱锡共掺的光纤预制棒的光致吸收变化对照 射激光脉冲能量密度的依赖性，与掺锡二氧化硅玻璃薄膜的情况极其相似，即：在高 能量密度照射下，光敏性主要来源于材料中与缺氧中心周围的键的断裂而产生的微观 复旦人学博士学位论文 掺杂二氧化硅玻璃光敏性及光纤光栅器件研究 掺杂二氧化硅玻璃光敏性及光纤光栅器件研究 摘要 结构变化；相反，在低能量密度照射下，材料中的光学活性缺陷的光致转化可能对光 敏性的产生起主导作用。 开展了刻写在特种光纤上的布拉格光栅的特性及其应用研究。采用相位掩模法在 “类矩形”高双折射光纤上刻写了均匀布拉格光栅，获得了比业已报道的高双折射光 纤光栅更大的两个正交偏振模所对应的布拉格波长的差值(o．765nm)。对该种光纤光 栅的温度、应变、静流体压力的传感特性进行了研究：发现该光栅的两个正交偏振模 的布拉格波长具有明显不同的温度灵敏度(K兀=o．00929nm／℃和l(ST=0．00879nm／℃)， 而在所研究的应变范围内，两个布拉格波长具有几乎相同的应变灵敏度，即K。大约为 O．OOl31nm／Itg。采用这种光栅作为同时测量温度和应变的传感器，可以获得小于±2 ℃和±14岍的测量误差