表面改性的钛酸钡聚合物基复合材料的制备及其介电性能的研究(可编辑).docVIP

摘要 随着科技的进步，小型化、轻型化、低成本、高性能已成为现代电子产品发 展的必然趋势，这对电子封装技术也提出了更高的要求。埋入式电容器作为电子 封装系统屮重要的功能性器件，要求其所使用的埋入式电介质材料具有高的介电 常数，低的损耗，及与印刷电路板良好的兼容性，而迄今为止，仍没有较为理想 的材料能够满足这些要求。 本文通过对铁电陶瓷钛酸顿(BT)进行导电性表面改性，分别制备了钛酸顿表 面沉积聚苯胺(BT@PANI)和钛酸领表面负载碳纳米管(BT-CNT)的复合颗粒。以 这些颗粒为填料，聚合物为基体制备了一系列特殊的三相复合电介质材料，并对 这些复合材料的介电性能进行了系统的研究。 通过原位聚合法制备了 BT@PANI复合颗粒，并将其填充到聚偏二氟乙烯 (PVDF)屮，通过混合和热压工艺制备出BT@PANI/PVDF复合材料，研究了 BT@PANI对BT@PANI/PVDF复合材料介电性能的影响。结果表明，该复合材 料未出现典型的渗流效应；其介电常数随BT@PANI质量含量的增加显著增大 (k=4500, 1 kHz,质量含量80%),而介电损耗及电导率仍保持较低值(tan5=1.62, o=5.0xl0-5 S/m)，说明该复合材料屮未形成导电通路。材料超高的介电常数主要 源于高BT@PANI含量时导电性PANI所引起的大的界面极化。 制备了不同PANI沉积量的BT@PANI复合颗粒，讨论了 PANI沉积量，测 试频率及温度对BT@PANI/epoxy复合材料介电性能的影响。结果显示，随着 PANI沉积量的增加，材料的介电常数增大，当PANI沉积量为BT@PANI复合 颗粒的26 wt%时，其介电常数达53(1 kHz),而电导率仍处于较低值1.64x10 S/m,材料未出现典型的渗流效应。介电常数的增大主要是由于增加的导电性 PANI引起了更大的界面极化所致。当测试温度为60 °C?100 °C时，介电常数迅 速增加，主要因为温度升高引起了更强烈的界面极化。另外，当温度接近epoxy 的玻璃化转变点90 °C时，epoxy分子链的运动加强，以及温度接近BT的居里 点120 °C时，BT发生相变，这对材料介电常数的增加也起了一定作用。 通过机械球磨法制备了 BT-CNT复合颗粒，并将其填充到聚偏二氟乙烯中制 备了特殊的三相复合材料(BT-CNT/PVDF),研究了 BT-CNT的含量，测试频率及 温度对BT-CNT/PVDF复合材料介电性能的影响。结果表明，随着BT-CNT质量 含量的增加，复合材料的介电常数显著增加(k=98, 1 kHz,质量分数50%),而 介电损耗及电导率仍保持较低的值(tan8=0.05, q=1.18x10-4 S/m),该复合材料在 填料质量含量为50%吋未出现典型的渗流效应。介电常数的增加主要来源于导电 性CNT所引起的界面极化；而长的CNT经机械球磨在BT表面形成了较短的 CNT片段，静屯吸附于BT表面，难以在整个复合材料屮形成导电性渗流网络。 复合材料的介电常数随温度升高而增大，这说明温度增加导致了更强烈的界面极 化。 这些表而改性的钛酸倾/聚合物复合材料具有高的介电常数，相对低的损耗 和屯导率，且未发生典型的渗流效应，这对于埋入式电容器的应用具有重要意义。 关键词：BT@PANI, BT-CNT,聚偏二氟乙烯，环氧树脂，复合材料，介电性 Abstract With the advancement of technology, miniaturization, lightweight, low cost and high performance have become an inevitable trend in the development of todays electronic products. Therefore, electronic packaging technology has been in great demand. In an electronic packaging system, embedded capacitor is used as an important functional device. Materials for embedded capacitor applications require a high dielectric constant, low dielectric loss and the good compatibility with printed circuit board. So far, no available material satisfies all these requirements. In this study