单量子阱中电子对称态.PDF

Vo1．23，No．5 第 23 卷第5 期 红外与毫米波学报 Vo l. 23 , No.5 第23卷第5期 红外与毫米波学报 October，2004 2004年 l0月 Oclober ， 2似)4 2∞4 年 10 月 J. Infrared Millim. Waves J．Infrared Millim．Waves 文章编号:1 ∞l 叩 9014(2∞4)05ω0329ω04 文章编号：1001—9014(2004)05—0329—04 掺杂 InGaAs/InAIAs 单盖子阱中电子对称态 掺杂lnGaAs／lnAIAs单量子阱中电子对称态 和反对称态磁输运研究 和反对称态磁输运研究 仇志军 桂永胜 在利杰2 曾一平2 黄志明 仇志军 ， 桂永胜 ， 崔利杰 ， 曾一平 ， 黄志明 ， 疏小舟 戴 宁 郭少令 裆君浩l 疏小舟 ， 戴 宁 ， 郭少令 ， 褚君浩 (1.中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室，上海 2αlO83 ; (1．中国科学院上海技术物理所 红外物理国家重点实验室，上海 200083； 2. 中罔科学院北京半导体所，北京 附)()83 ) 2．中国科学院北京半导体所，北京 100083) 摘要:利用变i晶 Hall 测最研究了重掺杂 InGaAs/lnAIAs 且在最子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称 摘要：利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InA1As单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称 态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距 态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距 为 4meV 此外，通过迁移普方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关 o 为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关 系. 系． : InGaAsllnAIAs 盖子阱;磁输运;对称态;反对称态 关键词 关 键 词：InGaAs／InA1As量子阱；磁输运；对称态；反对称态 中图分类号:0482.5 文献标识码:A 中图分类号：0482．5 文献标识码：A MAGNETO - TRANSPORT OF ELECTRON SYMMETRIC MAGNETo—TRANSPoRT oF ELECTRON SYMMETRIC AND ANTISYMMRTRIC STATES IN