第三章电子技术基础.pdf

第三章〓电子技术基础 3　1〓半导体二极管  无论是制造单个的半导体器件还是制造集成电路， 都离不都离不开半导体材料半导体材料。因此在介绍半导体器件之前因此在介绍半导体器件之前， 首先学习一些半导体的基本知识，以便加深对器件 外部特性的理解。 3　1　1〓半导体的导电特性  导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质称为半 -1010 -44 导体导体，其电阻率在其电阻率在10 ～10 Ωm的范围内的范围内。用来制用来制 造半导体器件的材料常用的有半导体单晶硅((Si))和 单晶锗(Ge)。硅和锗都是四价元素，其中硅应用最 广泛广泛。下面以硅为例讨论半导体的导电特性下面以硅为例讨论半导体的导电特性。  1 本征半导体本征半导体  完全纯净完全纯净、、结构完整的半导体称为本征半导体结构完整的半导体称为本征半导体。。当当 把硅制成单晶体时，每个硅原子最外层有四个价电 子子，通过共价键结构与相邻四个硅原子结合在一起通过共价键结构与相邻四个硅原子结合在一起， 形成排列整齐的晶体，如图3-1所示 。 图3-1〓硅晶体中共价键结构示意图  由于晶体中共价键的结合力很强四个价电子由于晶体中共价键的结合力很强四个价电子，在热在热 力学温度为零度时，半导体不能导电，其导电性能 如同绝缘体一样。如果温度升高或受到光照时，将 有少量的价电子从外界获得足够的能量有少量的价电子从外界获得足够的能量，，克服共价克服共价 键的束缚而成为自由电子。同时，在原来的共价键 中留下了中留下了一个空位个空位，这个空位常称为空穴这个空位常称为空穴。如图如图33-22 所示。 图3-2〓空穴和电子的形成  在本征半导体中自由电子和空穴总是成对地出现， 常称之为电子空穴对常称之为电子空穴对。当共价键中出现了空穴以后当共价键中出现了空穴以后，， 附近共价键中的电子就容易填补到这个空位上，而 在该价电子原来的位置上出现了新的空位在该价电子原来的位置上出现了新的空位，其他地其他地 方的价电子又有可能来填补这个新的空位。如此持 续进行就相当于有一个空穴在晶体中移动。当价电 子离开原子时子离开原子时，留下留下空穴穴，原来中性的原子带原来中性的原子带上正正 电，可以认为是空穴带了正电荷。  这种价电子填补空穴的运动就相当于带正电荷的空 穴朝相反的方向运动穴朝相反的方向运动。因为空穴是载运电荷的粒子因为空穴是载运电荷的粒子，， 所以称空穴为载流子。由此可知，在半导体中存在 着两种载流子着两种载流子，带负电的自由电子和带正电的空穴带负电的自由电子和带正电的空穴。 但在室温下，载流子的数量极少，导电能力很弱。 　  2 杂质半导体杂质半导体  在本征半导体中掺入某些微量元素在本征半导体中掺入某些微量元素((常称为杂质常称为杂质))，， 其导电性能将发生显著变化，掺入了微量元素的半 导体称为杂质半导体导体称为杂质半导体，它在工程实际中得到广泛的它在工程实际中得到广泛的 应用。根据所掺杂质的不同，把半导体分为N型和P 型两类。  (1) N型半导体  NN型半导体是在型半导体是在44价的本征半导体硅晶体中掺入微量价的本征半导体硅晶体中掺入微量 的五价元素磷构成。磷原子的最外层有5个价电子， 它与周围的四个硅原子组成共价键时它与周围的四个硅原子组成共价键时，多余的多余的一个个 电子处在共价键以外，很容易挣脱自身原子核的束 缚成为自由电子，如图3-3所示。 图3-3〓N型半导体结构示意图  在这种半导体中在这种半导体中，自由电子的浓度自由电子的浓度((数量数量))远远大于远远大于 空穴浓度(数量)。因这种杂质半导体主要依靠电子 导电，所以称为电子型半导体或N型半导体。其中 自由电子称为多数载流子自由电子称为多数载流子，，简称多子简称多子；；空穴称为少空穴称为少 数载流子，简称少子。  ((2)) P型半导体型半导体  P型半导体是在本征半导体硅晶体中掺入微量的三型半导体是在本征半导体硅晶体中掺入微量的三 价元素硼构成。硼原子最外层有三个价电子，它与 周围的四个硅原子组成共价键时由于缺少一个电子周围的四个硅原子组成共价键时由于缺少一个