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半导体物理 课程考试题卷（100分钟）考试形式：闭卷 考试日期2011年11月15日 课程成绩构成：平时 分，期中 分，实验 分，期末 分 一、选择填空（每空1?5 一、选择填空（每空1?5分，共40分） 1、在硅和緒的能带结构屮，价带 1、在硅和緒的能带结构屮，价带1对应的有效质量（A ）,称该能带中的空穴为（C )° 二 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人 签名 得分 签名 大； B.小； C.重空穴； D.轻空穴 2、 一块半导体寿命t=10Ms,光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止20ys后，其中非平衡载 流子将衰减到原来的（C ）o e ； B. 1/e ； C. 1/e2 ； D. 1/2 3、 钮的原子半径和电负性分别为0.146nm和1.9,磷的原子半径和电负性分别为0.11 Onm和2.1。在磷 化镣材料屮，祕取代部分磷，这会在磷化镣屮岀现（B ）,祕将俘获（D ）。 A.复合中心； B.等电子陷阱； C.电子 D.空穴； 4、 能带中电子有效质量加:定义为（B ）,在能带顶部附近加；（D ）零，与内层电子相比，外 层电子有效质量(F )o A、mn =hk/mn* B、mn =h2/ (d2E/dk2) C、l/m*=h2/ (d2E/dk2) E、 E、更大F、更小5 E、 E、更大 F、更小 5、 A.硅是直接；碎化傢是间接;硅是间接；神化稼是直接;An成正比;D. n（）成止比;E. Ap成反比；F. n（）成反比。复合中心浓度成正比;复合中心浓度成反比; A.硅是直接；碎化傢是间接; 硅是间接；神化稼是直接; An成正比; D. n（）成止比; E. Ap成反比； F. n（）成反比。 复合中心浓度成正比; 复合中心浓度成反比; 6、A、cxp(l/2k 6、 A、cxp(l/2k()T) B、cxp(?l/2k()T) cxp(l/k0T) D cxp(-l/k()T) 室温下，半导体A和B的禁带宽度分别为2eV和leV,则两种半导体的本征载流子浓度讪和为 B ）（不计两种材料有效质量的差异）。 E、2F E、2 对电离杂质散射机构，迁移率H?与温度T的关系（ A ）,对声学波散射机构，有 （B ）,对光学波散射机构，有比g （ C ）。 A、T3/2 B、T3/2 C、[cxp（￡/心7）-1] 8、 杂质半导体进入本征激发区的温度存在（BD ）依赖关系。 A、掺杂浓度越高，该温度越低； B、掺杂浓度越高，该温度越高； C、Eg越大，该温度越低； D、Eg越大，该温度越高； 9、 GaAs材料出现负微分电导是由于载流子的（C ）而形成； A、产生B、复合 C、谷间跃迁 14、 常温下，中等掺杂Si.Ge的主要散射结构是（AB ），中等掺杂GaAs的主要散射结构是（ABC ）。 A、电离杂质散射 B、声学波散射 C、光学波散射 15、 电阻率常用单位为（B ）,迁移率的定义式为（E）,常用单位为（G ） A、Q/cm B、Q ? cm C、西门子/米 D、jU = J / E E^ “ = v J E F、cm2-V/s G、cm2/V-s H、cm2/V/s 16、最有效的陷阱能级在（C ）,最有效的复合屮心能级在（A ） A Ei； B Et； C^ Ep, D、Ec； E、Ev 二、简答题：（共14分） 1、画出中等掺杂硅的电阻率随温度的变化情况，并解释原因。（8分） 低温区：杂质电离使n t ;电离杂质为主，T t , u t ,电阻率I 全电离区：n不变化；晶格散射为主，T t, n I.电阻率t. 本征区：晞随温度迅速升高，口缓慢降低，电阻率单调下降. 进入本征激发区的温度T随掺杂浓度和禁带宽度的增加而升高 2、分别说明深能级杂质和浅能级杂质的作用，并列举深能级杂质和浅能级杂质。（6分） 深能级杂质：复合中心，提高器件开关速度或降低载流子寿命Au, Pt； 浅能级杂质：改变材料的电阻率或导电类型，对Si材料而言，N, P, As 三、作图题（10分） 说明金属与N型半导体形成整流接触时，金属盒半导体的功函数满足什么条件；并作出该整流接触在 V=0, V0以及V0情况下的能带图。 满足：VK 满足：VK 四、计算题（36分） 1、（8分）施主浓度7VD=1015cm-3的薄n型Si样品,寿命为室温下进行光照射，光被均匀吸收，电 空 穴 对 的 产 生 率 是 1O2Oc/7?-3 Is - 1100cm 漂移电流密度；（4分） 扩散电流密度；（4分） / V ? 5 , ~ 400cm2 / V ? 漂移电流密度；（4分） 扩散电流密度；（4分） （1） 光照下样品的电导率；（4分） （2） 电子和空穴准费米能级阳和殆,与平衡费米能级於的距离，并在同一能带图