半导体物理学期末复习试题及答案一.docxVIP

一、 选择题 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 (B )o 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小C.和绝缘体的相同 受主杂质电离后向半导体提供（B ），施主杂质电离后向半 导体提供（C ）,本征激发向半导体提供（ A ）。 A.电子和空穴 B.空穴C.电子 3?对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费 3? 米能级会（B ）o A.上移 B.下移C.不变 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数，它和（B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）o A.相同B.不同C.无关 6.空穴是（ B ）o A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 c?带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子 7.碑化稼的能带结构是（ 7.碑化稼的能带结构是（A ）能隙结构。 A.直接B.间接 8.将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ A ）杂质作 用，若Si取代As则起（B ）杂质作用。 A.施主 B.受主C.陷阱D.复合中心 9.在热力学温度零度时，能量比5小的量子态被电子占据的概率为 （ D ）,当温度大于热力学温度零度时，能量比色小的量 子态被电子占据的概率为（ A ）o A. Vs =C? Vs.= A. Vs = C? Vs.= 12.金属和半导体接触分为：（B ）o A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 13?一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照 TOC \o 1-5 \h \z 忽然停止2丁后，其中非平衡载流子将衰减为原来的 （A ）o A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e 载流子的漂移运动是由（ A ）引起的，反映扩散运动强 弱的物理量是（ B ）o A.电场 B.浓度差C.热运动D. “ E. Dp f. t 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（B ）。 A.声学波散射和光学波散射B.声学波散射和电离杂质散射 光学波散射和电离杂质散射D.光学波散射 二、证明题 对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米 能 级 之 上。 即 EFnEi 即心eni、— 即心 e ni、—7 n「 n - W ◎ rv fl X 则 % EFi 即 rTTr 本征 a ? n ■ ■ ■「■ , ■ J 三、计算画图题 1 ?三块半导体Si室温下电子浓度分布为， 勺］=1.0 x 1016cm~3, q)2 =1.0x1 Oloc/72~3, n()3 = l.OxlO4 cm-3 (Nc=3*10i9cnf3, Nv=l*10%in?3, nFlO^cm3, ln3000= lnl000=6.9)则 、计算三块半导体的空穴浓度 ? ??、画出三块半导体的能带图 （3）、计算出三块半导体的费米能级相对与Q或耳/的位置 ? ?? （要求n型半导体求Ec-Ef, p型半导体求Ef-Ev） （15分） 2.室温下，本征错的电阻率为47倔加，试求本征载流子浓度。 若错原子的浓度为4.4x10叫沪，掺入施主杂质，使每W个错原子 中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度（设杂质全部 电离）。试求该掺杂错材料的电阻率。设““=360（^2/#.$, “卩=1700c加彳/y . §且认为不随掺杂而变化。 若流过样品的电流密度为523mA!cm2,求所加的电场强度。 画出金属和N型半导体接触能带图（比”＞叱，且忽略间隙），并 分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的能带图，画出对应的电 荷分布图。（6分） P型半导体* / 光均匀照射在电阻率为6Qs的n型Si样品上，电子一空穴对 的产生率为4X1021cm-3s1,样品寿命为8pso试计算光照前后 样品的电导率。（“” =3600沏2/“?￡, /ip= 1700cm2/V s）