固体物理基础PPT教学课件 第9-13讲 半导体.ppt

* * * * 2000诺贝尔物理学奖 信息技术方面的基础性工作:异质结发光 泽罗斯·阿尔费罗夫 赫伯特·克勒默 5.9 半导体发光二极管、激光器 Active Layer 5-period In0.3Ga0.7N/GaN SLs (2.5nm/4.0nm) Transparent electrode P electrode N electrode Blue InGaN/GaN multi-quantum well LED structure N-type GaN: Si 3-4μm Substrate Sapphire or Si P-type Al0.1Ga0.9N:Mg 100nm P-type GaN:Mg 0.5μm GaN buffer layer: 30nm 2.5nm InGaN 4.0nm GaN 5.9 半导体发光二极管、激光器 p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + 电子、空穴复合发光 5.9 半导体发光二极管、激光器 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p （本征） + - p I n E内 E外 5.9 半导体发光二极管、激光器 Ec1 Ec2 Ev1 Ev2 △Ec △Ev 量子阱LED 能带结构图 5.9 半导体发光二极管、激光器 超晶格LED 能带结构图 同质结激光器——实质上是由同一种材料制成的一个 p-n结（重掺杂） 异质结激光器——实质上是由两种不同材料制成的一 个 p-I-n结（ I为本征半导体） 半导体激光器分两类: 半导体激光器是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。 5.9 半导体激光器 p n 满 带 空 带 重掺杂 p n 满 带 空 带 普通掺杂 同质结激光器 5.9 半导体激光器 p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - 加正向偏压V ? 粒子数反转 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) 电子空穴复合发光 5.9 半导体激光器 ． 适当镀膜达到所要求 的反射系数，可形成光振荡并利于选频。 激励能源就是外接 电源（电泵）它提供正向电流，使电子空穴的复合不断进行，维持激光的输出 由自发辐射引起受激辐射 p-n结本身就形成一个光学谐振腔，它的两个端面就相 当于两个反射镜， 5.9 半导体激光器 解理面 p-n结 核心部分： p型GaAs n型GaAs 典型尺寸（?m） ： 长 L= 250 – 500 宽 W = 5 – 10 厚 d = 0.1- 0.2 GaAs同质结半导体激光器 同质结的缺点是需要重掺杂，且光损耗大 5.9 半导体激光器 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p 加正向偏压实现粒子数反转 （本征） 需要电压较高 + - p I n E内 E外 5.9 半导体激光器-同质p-I-n结 Ga1-x Alx As GaAs Ga1-x Alx As 导带 禁带 价带 p I n 导带 禁带 价带 加正向偏压后， 很容易实现粒子数反转 GaAs和GaAlAs,晶格常数基本相同，禁带宽度不同，折射系数不同 U0 I n p p I n - - - - - - - + + + + + + E内 紧密接触, 形成 p-I-n 结 + - p I n E内 E外 5.9 半导体激光器-异质p-I-n结 异质结激光器的优点： 无须重掺杂 GaAs的折射率比两侧高5%，可形成全 反射，把激光束限制在激活区内阈值电 流密度低， 可在室温下连续工作，实际使用的都是 异质结激光器 5.9 半导体激光器-异质p-I-n结 半导体激光器的特点： 用于激光通讯、信息储存、处理和显示器件、测距、制导、夜视等 5.9 半导体激光器 体积小，极易与光纤接合 所需电压低（对GaAs只需1.5V ） 效率高，电能直接变成光能 功率可达 102 mW 寿命长，可达百万小时 制造方便，成本低 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + +