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从磁通量子理解量子霍尔效应 量子超流体理解量子霍尔效应 前面遗留的两个问题现在可以解释 基态和激发态之间存在能隙,Landau能级间隔。在极低温下,超流体粒子不能获足够的能量跃迁到激发态,但低能态又全被占满,无处可去,挤在一起,形成所谓的超流, 不会受散射,故沿栅电场方向电阻Rxx=0,对应ρH平台 磁场增加,破坏配对,开始破坏超流态,达到一定程度后,不再有超流态性质,霍尔电阻平台被破坏 j为整数时,这幅图象比较简单*纵向电阻为零得到了解释* 平台的数值与von Klitzing常数的关系也得到了解释 分数量子霍尔效应 1982年,崔琦(D. C. Tsui, 1939~)、斯托默(H. L. St?rmer, 1949~)在更低的温度(0.5K)、更强的磁场(20T)、更低的载流子浓度下发现了分数量子霍尔效应(FQHE) 同年由劳弗林(R. B. Laughlin, 1950~)作出理论解释 三人共同获得1998年诺贝尔物理学奖 分数量子霍尔效应 对于整数量子霍尔效应的单粒子图象不再适用:实验条件指明是强关联! 新稳定态好象在电子填充朗道能级到一个分数时产生!而且分母都是奇数! 朗道能级中间还有新的态,态与态之间有能隙? 分数量子霍尔效应的直观图景 不可压缩的量子超流体 这样的圆饼箭头串形成不可压缩量子流体,称为量子超流体 这种量子超流体的状态与填充因子j有关 压缩一个系统,等于改变电子密度,改变j。当面积和磁场都固定时,这样的改变都要改变能量,有空隙的存在 但当磁场增加或减少,磁通量变而电子数不变时,不会立即改变整个量子超流体的状态。这时,会出现有些圆饼(电子)少一个箭头(磁通),或有些箭头(磁通)没有圆饼(电子)这样的缺陷。这样的缺陷积累多了,达到一定程度,整个系统就不再是量子超流体,纵向电阻不为零,霍尔电阻发生改变 栅电压变化时,改变电子数,结果也一样 量子反常霍尔效应 Quantum Anomalous Hall Effect- by QK Xue’s group OHE AHE Ferromagnetic order in the film Quantum Anomalous Hall Effect the quantized value agree with the theoretical prediction for a QAH system with residual dissipative channels 量子反常霍尔效应 Quantum Anomalous Hall Effect Apply a magnetic field, aiming to localize all possible dissipative states. a perfect QH state at the quantized value 量子反常霍尔效应 The crystal quality deteriorates with increasing Cr concentration. The carrier concentration is expected to be low since Cr substitutes for Bi without adding carriers. a c The ionic radius of Cr is smaller Both substituting for the bismuth in the lattice and incorporated inside the Van der Waals gap of the crystal structure between quintuple layers Ferromagnetic behavior Magnetism originates from the entire film instead of magnetic clusters since transport measurements are less sensitive to isolated ferromagnetic particles. Resistivity ~5 times larger than Bi2Se3, due to the existence of grain boundaries in the deteriorating crystal structure [1] P. P. J. Haazen, J.-B. Lalo?, T. J. Nummy, H. J. M. Swagten, P. Jarillo-Herrero et al., APPLIED PHYSICS LETTERS 100, 0824
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