光刻图形转移技术.PDFVIP

4 3 2 ( ) Vol ． 43 ，No． 2 第 卷第 期 上海师范大学学报 自然科学版 2 0 1 4 4 Journal of Shanghai Normal University (Natural Sciences) Apr ． ，2 0 1 4 年 月 DOI :10． 3969 /J． 1SSN． 100 － 5137． 2014． 02． 004 光刻图形转移技术 ， ， ， ， ， ， ， 张永平 程 越 卢吴越 谈嘉慧 赵高杰 刘益宏 孙玉俊 ， ， ， 陈之战 石旺舟 李万荣 陆逸枫 ( ， 200234) 上海师范大学数理学院 上海 : 、 、 、 、 、 、 ， 摘 要 通过对预烘 光刻胶旋涂 软烘焙 对准曝光 后烘 显影 坚膜的光刻工艺过程分析 ， 主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法 并通过实验和分析得出了可靠的技术 方案． : ; ; 关键词 光刻 光刻工艺 光刻胶 : : : 中图分类号 TN 29 文献标识码 A 文章编号 1000-5137 (2014)02-0132-05 0 引 言 光刻机是微电机系统(MEMS)与微光 (MOD) ， ， 学器件 的完美结合 引发了一场微型化革命 从而使 、 ． ， 半导体芯片 电子器件和集成电路向着更高集成度方向发展 而光刻技术是芯片制造的关键 决定了芯 ［1］． IC 制造具 : 、 、 ， 片的最小尺寸 有复杂的工艺链 晶圆制备 电路制造 封装等 其中电路制造过程最为复 ， 、 、 、 、 ． IC 杂 包括气相沉积 光刻 刻蚀 离子注入 扩散和引线等 决定 特征尺寸大小的关键和瓶颈技术就是 ． IC ［2 － 3］． IC 征 其中的光刻环节 特征尺寸的变化与光刻技术的发展关系遵从着著名的摩尔定理 随着 特 ， 、 ; 436 、365 、248 nm 193 nm ; 尺寸的减小 采用的曝光方式从接触式 接近式到投影式 光源从 到 数值孔径 从0． 35 、0． 45 、0． 55 、0． 60 到0． 70 ［4］． 100 nm ， ， 当特征尺寸小于 时 现有的工艺和光源都必须再次更新 、 、