基于光学Anderson局域效应的硅基多孔材料的设计与研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

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基于光学Anderson局域效应的硅基多孔材料的设计与研究-凝聚态物理专业论文

摘要摘要 摘要 摘要 光子晶体因具有光子带隙和光子局域的特性而具有潜力巨大的应用价值, 人们对于光子晶体在实验和理论研究方面都有着浓厚的兴趣。 近些年,人们对具有周期性结构的光子晶体和具有无序度的介质中光学局 域化(Anderson局域化)的理论和实践的研究以日剧增。目前,周期性固体微结 构的制备技术已经相当完备,这为光学Anderson局域效应的研究提供了非常广 阔的发展空间。硅基半导体是现代光电子器件制造中应用最广泛的半导体材料, 相比于高分子材料,采用硅基材料作为实现光学局域的手段,更有利于硅基光 电集成的实现与发展。因此,对具有一定无序性周期硅基固体微结构的光学局 域的研究是非常有必要的。本论文主要包括以下几方面的内容: 第一章介绍了光子晶体的分类和性质、硅基材料的发展现状及三维微结构 的制各方法以及光学Anderson局域效应的研究意义。 第二章介绍了本论文工作中利用的数值模拟方法原理及稳定性条件和吸收 边界条件的选取,并介绍了其他几种数值模拟方法的原理。 第三章是关于光子晶体光学性质的研究。对算法稳定性进行了验证,研究 了材料结构对局域光斑位置的影响以及入射光波长与局域光斑大小的关系。 第四章对光学Anderson局域效应进行了数值计算与理论分析,利用有限时 域差分算法模拟计算了不同尺寸、不同无序度、不同入射光波长的情况下光源 在介质材料中的传播情况。计算的结果表明在材料中构造固体腔结构可以有效 控制局域光斑的位置,材料尺寸的选择对局域光斑的形成起重要影响,过大或 过小都无法得到局域的光斑。通过分析得出材料的无序度对光局域的效果产生 影响,当无序度很小(10%)时,加入微扰后的增强效果与孔洞规则排列的情 况相似,增强效果明显。其中,当无序度为7.7%时,可以获得最好的增强效 果。此外,本章还研究了影响局域光斑尺寸的因素,结果表明入射光波长为影 响局域光斑大小的主要因素,其等效直径与波长成正比,改变材料尺寸仍然可 以得到同样的结论,但材料无序度对局域光斑尺寸的影响不大。 第五章是对本工作的总结与展望。 关键词:有限时域差分算法、光学Anderson效应、光子晶体、无序 Abstractslnce Abstract slnce photomc crystal has the characteris of photonic band脚and photonic localization,it has great potential in applications.People have strong interest in smding photonic crystal theoretically and expefimentall y. 1 nese years, more and more people pay attention to investigate photonic localization efiect of photonic crystal which has periodic stmcture and optical materials whlch haVe disordered degree theoretically and eXpenmentall y.The technology to synthesize periodic micro—structure is quite perfect,which provides very wlde sPace to develop optical Anderson effect.Silicon is used most widelv semlconductor in manufacturing morden optoelectronic devices.Compared to the poJymer materiaIs,to achieve photonic localization efrect with silicon is favorable tbr reallzmg and developing silicon,based optoelectronic integration.Therefore.it,s necessary to research the potonic localization effect based on disordered silicon micro.structure. 1n chapter 1,we have introduced the classification and the properties of pnotonlc crYstal,the development status of silicon

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