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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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超薄栅氧化层!#$%’( 软击穿后的导电机制!
王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉
（北京大学微电子学研究所，北京 !#$!）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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研究了恒压应力下超薄栅氧化层 型金属 氧化物 半导体场效应晶体管（ ）软击穿后的导电机制 发
( ) ) ()*+,-./ 0
现在一定的栅电压 范围内，软击穿后的栅电流 符合 隧穿公式，但室温下隧穿势垒 的平均
! -23456)726895:; !
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值仅为 =’? 5@，远小于,:A ,:+ 界面的势垒高度’ = ! 5@ 0 研究表明，软击穿后，处于,:A ,:+ 界面量子化能级上的电
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子不隧穿到氧化层的导带，而是隧穿到氧化层内的缺陷带上0 ! 与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关；高温
下，激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致 逐渐降低0
!
关键词：软击穿，栅电流，类-23456)726895:; 隧穿，超薄栅氧化层
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［ ］
量子点接触导电模型；之后， !
*:6H(8H 等 利用扩展
!= 引 言 的量子点接触导电模型拟合 ,OP 后较大栅电压范
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