0.35μmBCD工艺流程优化与改善.pdfVIP

摘要 摘 要 BCD （BIPOLAR/CMOS/DMOS ）工艺是一种结合了双极、CMOS 和 DMOS 结构的单片 IC 制造工艺，其优势是设计者可以在高精度模拟的双极、高集成度的 CMOS 和作为功率级的 DMOS 之间自由选择。BCD 工艺能很好应用于电源管理类 芯片的研制。随着我国信息化水平和绿色节能建设水平的不断提高，以及智能电 网、智能工业等新兴产业的迅速发展，国内电源管理芯片市场将稳步快速增长。 在这一背景下，德州仪器成都公司投入开发应用电压范围 40V-90V 的 0.35 μm 高 功率 BCD 工艺以满足市场需求，增加竞争力。 在 0.35 μm BCD 工艺开发过程中遇到较多的问题，诸如：光刻、清洗、快速 热退火、金属连线等。针对这些问题，以 LDMOS 、NPN 等器件为主进行关键工 艺的改善，从而对 0.35 μm BCD 工艺进行优化。主要内容如下： + + + 1．针对 LDMOS 器件 N /P SD 工艺流程段的开发和改善。包括针对 N SD 柱 + + + + + + 状光刻胶脱落问题的 N /P SD 光刻工艺、N /P SD 离子注入工艺、N /P SD 离 子注入后清洗工艺、工艺缺陷的检测分析。 2 ．针对 NPN BJT 器件的工艺流程段的开发及关键工艺的改善。包括 NPN BJT 相关工艺流程、相关工艺失效效应分析、CO 金属硅化物相关实验和离子注入后 RTA 实验设计及验证。 3 ．针对金属缺陷问题后段工艺的改善。包括：针对钨塞空洞问题接触孔工艺 流程段的改善、针对铝坑问题通孔工艺流程段的改善。 通过对上述以器件为基础的 0.35 μm BCD 工艺中的关键工艺改善及优化，很 好建立了本公司 0.35 μm BCD 工艺基准。 关键词：BCD 、柱状光刻胶脱落、NPN BJT HFE 、钨塞空洞、铝坑 I 万方数据 ABSTRACT ABSTRACT BCD technology(BIPOLAR/CMOS/DMOS) incorporates BIPOLAR 、CMOS and MOS on one chip. The essential advantage is that designers can select freely between device of high-resolution analog BIPOLAR 、high-integration CMOS and high-Power DMOS. BCD technology can be used widely in Power Management IC. With the growing informationization and green power conservation in China, and intelligent Power Grid and i