界面种子层及元素掺杂对铌酸钾钠基薄膜电性能的影响-材料物理与化学专业论文.docxVIP

Classified Index: TN155 U.D.C: 621.785 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering EFFECTS OF INTERFACIAL SEED LAYER AND ELEMENT DOPING ON THE ELECTRIC PROPERTIES OF ALKALINE NIOBATE BASED THIN FILMS Candidate： Li Na Supervisor： Prof. Fei Weidong Assistant Supervisor： Associate Prof. Li Weili Academic Degree Applied for： Doctor of Engineering Speciality： Materials Physics and Chemistry Affiliation： School of Materials Science and Engineering Date of Defence： October, 2011 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 摘 要 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 哈尔滨工业大学工学博士学位论文 摘 要 (K,Na)NbO（3 KNN）是近年来被广泛研究的无铅压电材料。自 2004 年 Nature 报道织构化 KNN 基陶瓷的压电系数 d33 高达 416pC/N 以来，有关 KNN 基块体 陶瓷和薄膜的研究备受关注。相比于高质量的 KNN 陶瓷，KNN 薄膜在制备工 艺和性能方面尚有许多问题没有得到很好解决，例如，晶化温度较高、薄膜漏 电流密度较大、性能不稳定等。本文针对 KNN 薄膜存在的问题，以广泛采用 的化学溶液沉积法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备 KNN 基薄膜。通过碱金属过量的 调控、界面种子层的引入和薄膜的 V 和 Ta 掺杂等手段，探讨了改善薄膜性能 的途径。综合种子层元素价态的 X 射线光电子谱（XPS）分析、种子层形貌的 扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）分析及其物相的掠入射 X 射线衍射 （XRD）分析对 Nb2O5 和 V2O5 种子层的物相、形貌等进行了表征；利用能谱 分析（EDS）、SEM 和 AFM 观察以及 XRD 物相分析等手段研究 KNN 基薄膜 的成分、微观组织和相组成；用铁电测量仪和阻抗测量仪分别测试了 KNN 薄 膜的铁电和介电性能。在此基础上，研究了 KNN 薄膜性能的变化规律与机制， 结果表明界面种子层及 V 和 Ta 元素掺杂可以不同程度地改善 KNN 基薄膜性能 （特别是漏电性能）。 不同 K，Na 过量比例对 KNN 薄膜的铁电性能有很大的影响，K 元素过量 比例的增加有助于得到更好的电性能。由 EDS 结果确定了薄膜制备过程中 K， Na 元素的挥发率，以 K 过量 55%，Na 过量 10%制备出了成分准确的 KNN 薄 膜，得到了良好的铁电性能。研究发现，氧气氛下的二次退火处理可以有效提 高薄膜的介电性能。 Nb2O5 种子层的添加可以使 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底和 KNN 薄膜紧密结合,使薄膜 漏电流密度显著降低，得到了良好的铁电性能。V2O5 种子层在使衬底和薄膜结 合紧密的同时，还将 KNN 薄膜的晶化温度降至 425℃，实现了 KNN 薄膜的低 温晶化，比 Nb2O5 种子层在更大程度上降低了漏电流密度，得到了优于添加 Nb2O5 种子层薄膜的铁电性能。 以 Nb2O5 为种子层，制备了 K0.4Na0.6Nb1-xVxO3 薄膜和(K0.4Na0.6)1-3xLaxNbO3 薄膜。V 的 B 位掺杂的 KNN 薄膜均处于多晶相转变区，均为 O 相和 T 相共存， V 掺杂很大程度上提高了薄膜的电性能。随着 V 掺杂含量的提高，薄膜中 T 相 含量增加，x=0.015 的薄膜的 T 相含量最大，同时获得了最高的铁电和介电性 能：2Pr=43.7μC/cm2；ε=1189；tanδ=10%。La 的 A 位掺杂没有优化薄膜的电性 - I - - - PAGE VIII - - - III - 能，反而使性能劣化。 以 V2O5 为种子层的 K0.4Na0.6Nb1-xTaxO3 薄膜，得到了比 V 掺杂薄膜更优的 电性能。与 V 掺杂薄膜相同，所有 Ta 掺杂薄膜均为 O 相和 T 相共存，薄膜中 的 T 相含量随 Ta 掺杂量的增加而增加，x=0.015 的薄膜的 T 相含量最大，得到 了最高的铁电和介电性能：2Pr=47.2μC/cm2；ε=1120；tanδ=5%