铋掺杂半导体锗光学性质的第一性原理研究黄蕾刘文亮邓超-物理学报.PDF

磷、铋掺杂半导体锗光学性质的第一性原理研究 黄蕾 刘文亮 邓超生 First-principlesstudyofopticalpropertiesofgermanium doped with phosphorus and bismuth HuangLei LiuWen-Liang DengChao-Sheng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,136101(2018) DOI: 10.7498/aps.67 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I13 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟 Simulationofspontaneousemissionspectrumofdegenerate Ge under large injection level 物理学报.2017,66(15): 156102 /10.7498/aps.66.156102 掺杂硅纳米梁谐振频率的理论模型及分子动力学模拟 Studyonresonancefrequencyofdopingsiliconnano-beambytheoreticalmodelandmoleculardynamics simulation 物理学报.2017,66(10): 106103 /10.7498/aps.66.106103 Si基IV族异质结构发光器件的研究进展 RecentprogressinGeandGeSnlightemissiononSi 物理学报.2015,64(20): 206102 /10.7498/aps.64.206102 铒离子注入绝缘体上Si 的射程分布研究 InvestigationonrangedistributionofErionsimplantedin silicon-on-insulator 物理学报.2014,63(17): 176101 /10.7498/aps.63.176101 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响 EffectofdopingonthephotoluminescenceofmultilayerGequantumdotsdepositedonSi(001)substrate 物理学报.2013,62(7): 076108 /10.7498/aps.62.076108 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 13 (2018) 136101 磷、铋掺杂半导体锗光学性质的第一性原理研究 黄蕾 刘文亮 邓超生 (湘潭大学物理与光电工程学院, 湘潭 411105) ( 2017 年12 月18 日收到; 2018 年4 月19 日收到修改稿) 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算, 研究了不同浓度N 型掺杂锗的电子结构和光学性质. 掺杂元素分别为磷和铋, 并对掺杂后的电子态密度和光学性质进行计算、分析. 计算结果表明: N 型掺杂会使 得费米能级向导带方向移动. 在低能区段, 介电函数、折射率和吸收系数都受到影响, 但到高能区后只有消光 系数和吸收系数会被影响; 反射率在整个能区都受影响, 在中能区掺杂会使反射率提高, 在低、高能区会减弱 反射率; 对损失函数的影响是掺杂浓度越高、损耗峰越小、峰值出现处能量越高. 研究结果对N 型掺杂半导体 锗的光学应用具有一定的指导意义, 可以根据上述结论有针对性地调节掺杂浓度和能量范围. 关键词: 锗, N 型掺杂, 光学性质 PACS: 61.72.uf, 85.40.Ry, 74.25.Gz DOI: 10.7498/aps.67 间接带隙差值, 但是当引入应变使锗成为直接带隙 1 引 言 材料, 提高发光效率,