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界面修饰对有机场效应管性能影响的研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

界面修饰对有机场效应管性能影响的研究-凝聚态物理专业论文.docx

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独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取 得的研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他 人日经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得 久哼搜工九学 或 其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研 究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 学位抢文作者签名:机 签字町期:切 f 年 j Jl ,日 学位俗文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解 叉璋嫂工九学有关保留、使用学位论文 的规定。特授权天津班工大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入 有关数据库进行检索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编, 以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复本和电子 文件。 (保密的学位论文在解密后适用本授权说明) 学位俗文作者签名:夺取 导坤签名: 批屯 1生 答字町期 )Dt( 年「 月 I Q 签字同期: lD, 年了Jl n 町 摘要 以有机半导体材料作为有源层的布机场效应管 (Organic Field Effect 丁ransistor , OFET) ,因其具有独特优点,如低成本、低功耗、制备工艺简单、可与梁性衬底相兼容、 大面积生产等,己广泛应用于射频卡、识别卡、各种传感器、平板显示器的有源驱动电 赂、环形振荡器以及有机电子纤维等领域。在 OFET 中,对于器件性能的提高逾径除了 选取合适的材料、结构以外,引用修饰层也是一种重要的方法,其中包括绝缘层/有机层 界面的修饰和有机应/源漏电极界丽的修饰。四此,研究修饰层的作用,对于提高 OFET 性能具有意耍的意义。 本论文首先对 OFET 近几十年来经历的不同发展阶段进行了综述,介绍了 OFET 的 主要应用领域,并对 OFET 的发展趋势和存在的问题进行了总结。其次,总结分析了常 用 OFET 器件的结构及其利弊,概括了制备 OFET 需要的各种基本材料,阐述了 OFET 的工作机理,载流子的注入和传输等相关理论。 基于引入修饰层可以提高 OFET 性能,针对当前 OFET 的发展现状以及存在的问题, 本论文将研究内容定位于制备不问界面修饰层的 OFET 器件,研究了各种不同修饰层对 于器件性能的影响。具体的研究工作如下: (1)以无机 Si?2作为 OFET 的绝缘层,有机材料聚甲基丙烯酸申酣( poly(rnethyl rnethacrylate) ,PMMA) 为 Si02 修饰店,制备了基于并1i苯的 OFET ,研究了PMMA 修 饰层的浓度对于器件性能的影响。与单栅绝缘层的器件相比,经过 PMMA 修饰的绝缘 屁器件优化了有机半导体和绝缘层界面间的接触,降低了栅极漏电流。其中, PMMA 浓度为 1OrnglrnL 时,得到器件的性能最高。通过利用薄的有机聚合物材料修饰高介电 系数的无机绝缘层获得了器件性能的提高。 (2)采用非妇慕睹琳铝 (Alq3) 作为有源层的修饰层,制备了基于 C60 的 OFET 器件,研究了修饰层的厚度对于器件性能的影响。随着 Alq3 修饰层厚度的增加,器件 的性能参数有所改进。器件在 lOnrn厚的 Alq3 修饰层时,场效应的迁移率达到最大值, 为1.28x lO2crn2Ns ,阙值电底下降至10Vo 分析了引入修饰层使器件性能提高的主要原 因:一方面是阻止了金属原子扩散进入到 C60 有机展:而另一方面可能是源于 AlJC60 界面间的沟道电阻降低。 (3) 采用LiF、Alq3 以及 Alq3/LiF 双层作为有源层的修饰层,制备了基于 C60 的 OFET ,研究了不问修饰层的器件对于场效应性能的影响。与未加修饰层的器件相比, 经过修饰器件性能具荷一定的提高,其中,以 Alq3/LiF 为双修饰层的器件的场效应的迁 移率达到最大值,为1.6x 10.2crn2Nso 根据热动力学反应关系分析表明, Alq3/LiF 之间 的协同作用导致电极和有源层的接触势盘降低是器件性能提高的原因。 关键词:有机场效应管界面修饰场效应迁移率 Abstract Organic Field Effect Transistor(OFET) using 0昭anic semiconductor materials as active layers,have been paid much attention due to their unique properties ,such as low创悦, low-power ωnsumption,facile fabrication processes,mechanical flexibility,large-area and their widel

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