晶片表面结晶型缺陷的介绍及预防措施的探究-集成电路工程专业论文.docxVIP

目 录 HYPERLINK \l _bookmark0 第一章 前言 1 HYPERLINK \l _bookmark1 1.1 半导体制程的简介 1 HYPERLINK \l _bookmark2 1.2 晶圆表面常见缺陷的简介 2 第二章 结晶型缺陷简介 9 2.1 结晶型缺陷的外貌形态及判定方法 9 2.2 结晶型缺陷的形成机理14 2.3 结晶型缺陷的去除方法24 第三章 预防结晶型缺陷的方法 26 HYPERLINK \l _bookmark3 3.1 增加清洗时间减少多晶硅化合物的残留 26 3.2 覆盖晶片表面无效区域 28 3.3 金属焊盘刻蚀工序的优化30 3.3.1 理论模型 30 3.3.2 实验验证 32 第章四 结论与展望 33 参考文献 34 致 谢 第一章 第一章 前言 PAGE PAGE 10 第一章 前言 1.1 半导体制程的简介 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或物理操作。这些操作可 以分为四个基本大类：光刻、刻蚀、掺杂和薄膜制作。集成电路是在硅片制造厂 中完成的。制造厂可以分成 6 个独立的生产区：光刻、刻蚀、扩散（包括氧化、 薄膜淀积和掺杂工艺）、离子注入、薄膜和抛光。这 6 个主要的生产区和相关步 骤以及测量工具都在硅片厂的超净间中。其中抛光区是高性能半导体集成电路制 造业的新成员，并且在工业中的应用