族元素掺杂对SnO电子结构及电学性能的影响!-物理学报.PDF

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族元素掺杂对SnO电子结构及电学性能的影响!-物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 8( 3 $$’ 3 , , , 7M. ,8( XM ,3 -4Y. $$’ ( ) #$$$R$H$$’H8( $3 H%%$8 -ST- UVW)1S- )1X1S- #$$’ SZ* , UZ[\ , )MD , ############################################################### !族元素掺杂对!#$ 电子结构及电学性能的影响! 杜 娟 季振国! (杭州电子科技大学电子信息学院,杭州 #$$#%) (浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 #$$’ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $$( ’ ## $$( # $ 采用密度泛函理论研究了 族元素掺杂对 电子结构及电学性能的影响 态密度分析结果表明,以替代位 ! )*+ , 存在的!族杂质均使)*+ 的费米能级明显向低能态方向移动,使得价带顶不完全填满,因此在)*+ 中均充当受主 作用 部分态密度分析结果表明,相对于掺 的 , 族元素中的 及 对费米能级附近态密度贡献较大,其 , -. )*+ ! /0 1* 主要贡献来自 态或 态,这预示着在 中掺 或 能实现更好的 型掺杂效果 电离能计算结果进一 /02 1*32 )*+ /0 1* 4 , 步表明,在 , 及 三种元素中,替位 有最小的电离能( ),这说明其在 中能形成最浅的受主能级, -. /0 1* 1* $ 5$( 67 )*+ 因而在同等掺杂情况下,可引入最高浓度的空穴,从而实现最佳的4 型掺杂效果, 关键词:密度泛函理论, , 族元素掺杂,电子结构 )*+ ! : , , %’’ ’##89 ’#

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