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浙江科技学院学报 ,第 18 卷第 2 期 ,2006 年 6 月
J ournal of Zhej iang U niver sit y of Science and Technolo gy
Vol . 18 No . 2 , J une 2006
聚苯撑乙炔共轭聚合物的合成及光电性能
牛俊峰 ,杨志祥 ,黄光荣 , 曾 翎
(浙江科技学院 生物与化学工程学院 ,杭州 3 10023)
( ) (
摘 要 : 利用钯催化剂 Pd PPh3 2 Cl2 和相转移催化剂 P TC ,采用 Heck 交叉偶联缩聚反应合成了 苯撑乙炔氰基乙
) ( )
烯苯撑 共聚物 C12P P EDCN TB , 比较了聚合物的紫外吸收光谱和荧光光谱特征及热稳定性 。以 ITO 为阳极 ,
Ba/ Al 为阴极 ,制备了构型为 ITO/ P EDO TP SS/ M E HPPV + C12PP EDCN TB ( 1/ 1 , m/ m) / Ba/ Al 的本体异质结器
件 ,初步讨论了活性层的光物理特征及器件的光伏性能 。
关键词 : 共轭聚合物 ;聚苯撑乙炔 ;氰基乙烯苯撑 ;光伏性能
( )
中图分类号 : O632 . 17 ;O63 1. 2 文献标识码 : A 文章编号 : 167 18798 2006
Synthesis and Photovoltaic Devices Perf ormance of
Poly( phenylenebisethynylene) alt( ( cyanostyryl) benzene)
N IU J unfeng , YAN G Zhixian g , HU AN G Guan grong , ZEN G Ling
( School of Biolo gical and Chemical Engineering , Zhej iang U niver sit y of Science and Technolo gy , Hangzhou 3 10023 , China)
Abstract : poly (p henylenebi set hynylene) alt( ( cyanost yryl ) benzene) alt er nating cop olymer
cont ainin g elect ron donor an d elect ro n accep tor unit s wa s synt he sized by cro sscoup lin g polycon
den sation wit h Pd ( P Ph3 ) 2 Cl2 an d p ha se t ran sf er cat aly st s. The U VVi s and PL of copolymer were
mea sured re sp ectively . Photovolt aic device s ba sed o n t he configuration of I TO/ P EDO TP SS/ C12
P P EDCN TB / Ba/ Al were fabricat ed . The p hotop hy sics of active layer , p hotovolt aic p erfor mance
of t he device s wa s al so di scu ssed
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