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XX大学 《量子力学》课程论文 “霍尔效应”简介及其研究进展 桌面清理大师梁非凡 2016-1-8 “霍尔效应”简介及其研究进展 摘要：对霍尔效应、反常霍尔效应、量子反常霍尔效应等霍尔效应家族一系列成员进行了介绍，同 时介绍了石墨烯和拓扑绝缘体两种新型材料。并给出了各效应的应用或应用前景，综述了霍尔效应 家族的发展史。 关键词：反常霍尔效应；量子霍尔效应；量子反常霍尔效应 1反常霍尔效应 在电磁学中，霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向 的两个端而Z间会出现电势差，称为霍尔电势差。霍尔效应可以用电荷在电磁场屮的运动来解释， 经过简单的推导，可以得到 B P = Jd Rh和P分别是材料的霍尔电阻和霍尔电阻率，心=壽是材料的霍尔系数。由此可见，在霍尔效应屮， 当霍尔材料确定时，霍尔电阻和霍尔电阻率均与外加磁场B成正比。 1880年，霍尔在研究磁性金属的霍尔效应吋发现，材料的横向电阻率不再与磁场成正比，此现 象无法用简单的磁场洛伦兹力来解释，称为反常霍尔效应。 反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应。在反常霍 尔效应中，由于材料本身的自发磁化，出现了通常大于常规崔尔效应系数心一个量级的反常崔尔效 应系数Rs，其值强烈依赖于温度，且铁磁材料的霍尔电压值与外加磁场不再成线性关系；在铁磁材 料中，即使不加外磁场，只通入电流的情况下，仍能产生霍尔效应。反常霍尔效应是探究和表征铁 磁材料中巡游电子输运特性的重要手段和工具之一，它的测量技术被广泛应用于许多领域，最重要 的应用是在新兴的自旋电子学方面，如稀磁半导体材料的诞生。 2量子霍尔效应 2.1整数量子霍尔效应 量子崔尔效应一般被看作是整数量子崔尔效应和分数量子崔尔效应的统称。1980年由码?克利 青(L.V. Klitzing ),多达尔(Dorda )和派派zK( Pepper)在低温(约1.5K)和强磁场(约为18T)条件下，发 现了一个与经典霍尔效应完全不同的现象：霍尔电阻Rh随磁场的变化出现了一系列量子化电阻平台, 这种现象称为整数量子霍尔效应。这些平台电阻为： h 25812.81 R严百二 —? 上式中力是普朗克常数，幺是元电荷量，，是正整数(=1,2,3...)。这是一种宏观的量子现象，实验测 量的精确度达10一9量级，1990年以后，国际绝对电阻标准改为整数量子霍尔效应來定义。 此外，由于光速c是一个可以精确测量的物理量，与整数量子霍尔电导单位/〃?相结合，可以 精确测定出原子物理学屮具有重要意义的精细结构常数 e2 e2 a — — ‘ _ 47isQhc 2 h 这样，使得精细结构常数值有了独立于量子电动力学的检验。所以说，整数量子霍尔效应的发现对 于测量学的意义是革命性的。 理解量子霍尔效应时要用到两方面的知识。其一，磁场作用于二维自由电子的运动而导致了朗 道量子态。这种磁量子化在能量谱中产生了重要的空隙。其二，就是局域化。量子霍尔效应与朗道 能级的分立性是紧密联系的，在朗道能级中进行准确的填充，就可以得到正确的霍尔平台的值。虽 然朗道能级的分立是量子霍尔效应的核心，但显然不是它的全部内容。 2.2分数量子霍尔效应 1982年，普林斯顿大学的Daniel T sui（崔琦，美籍华裔科学家）与哥伦比亚大学的Horst Stormer （美籍德裔科学家），在更低温度0.1K和更强磁场20T条件下，GaAsAlxGa,.xAs异质结为样品作 霍尔实验,观测到在Rh?Bz关系曲线上,出现RhM/（/*），匸1/3, 2/3的分数量子霍尔电阻平台,接 着匸3/5, 4/5, 1/5, 2/5, 3/5, 4/5, 1/7 等相继被发现。 1998年10月，瑞典皇家科学院宣布三位美国科学家，Daniel T sui^ Horst Stormer和Robert Laughlin,因他们在发现分数暈子霍尔效应（fractional quantum Hall effect,简称FQHE）方面所做出的 杰出贡献而获得当年的诺贝尔物理学奖。 分数霍尔稳定态是电子之间的共有库仑相互作用的结果。这种相互作用在能量谱线上产生了新 的多体空隙。实际上，分数量子平台是新的多电子系统集合态的特征。这些集合态被称作量子液体, 这种液体用消耗能量来作为产生准粒子的代价，它是不可压缩的。 3量子反常霍尔效应 1988年，Haldane首次通过在六角蜂窝状晶格体系中引入交错的磁通量（总磁通量为0）发现: 在破坏了时间反演对称性后，即使无外磁场存在，也可打开一个非平庸体能隙来实现量子霍尔效应。 为区别于传统的强磁场导致的量子霍尔效应，零磁场时形成的霍尔电导量子化的现象被称为量子反 常崔尔效应。在量子反常崔尔效应中，人们通过引入局域磁矩或交换