La或N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算.PDF

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) June Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, 31 (6), 1191-1198 1191 [Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201504011 La 或N掺杂SiC 纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算 李镇江1 马凤麟1 张 猛1 宋冠英1 孟阿兰2,* 1 ( 青岛科技大学中德科技学院, 机电工程学院, 山东省高分子材料先进制造技术重点实验室, 山东青岛266061; 2 青岛科技大学化学与分子工程学院, 生态化工国家重点实验室培育基地, 山东青岛266061) 摘要: 采用化学气相沉积法和气相掺杂法, 分别制备了La 或N 掺杂的SiC 纳米线. 利用场发射扫描电子显微 镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X 射线能量色 散谱(EDS)分析和X 射线衍射(XRD)等测试手段对两种产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表 征. 以合成产物作为阴极, 对其场发射性能进行测试, 结果表明: SiC 纳米线的开启电场值和阈值电场值由未掺 杂的2.3、6.6 V ∙μm-1 分别降低为1.2、5.2 V ∙μm-1(La 掺杂)和0.9、0.4 V ∙μm-1(N 掺杂). 采用Material Studio 软 件中的Castep 模块建立(3×3×2)晶格结构模型, 对未掺杂、La 或N 掺杂SiC 的能带结构和态密度进行计算, 结 果显示: La 或N 掺杂后, 在费米能级附近产生了新的La 5d 或N 2p 掺杂能级, 导致禁带宽度(带隙)变窄, 使得价 带电子更容易跨越禁带进入导带, 从而改善SiC 纳米线的场发射性能. 关键词: 场发射性能; La 掺杂; N 掺杂; SiC 纳米线; 第一性原理 中图分类号: O649 Preparation, Field Emission Characteristics and First-Principles Calculations of La-Doped or N-Doped SiC Nanowires LI Zhen-Jiang1 MA Feng-Lin1 ZHANG Meng1 SONG Guan-Ying1 MENG A-Lan2,* 1 ( Key Laboratory of Polymer Material Advanced Manufactorings Technology of Shandong Provincial, College of Chinesisch- Deutsche Technische Fakultat, College of Electromechanical Engineering, Qingdao University of Science and Technology, Qingdao 266061, Shandong Province, P. R. China; 2State Key Laboratory Base of Eco-chemical Engineering, College of Chemistry and Molecular Engineering, Qingdao University of Science and Technology, Qingdao 266061