SnO的歧化反应对SnTe热电性能的优化.PDF

第34 卷 第3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 34 No. 3 2019 年3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2019 文章编号: 1000-324X(2019)03-0315-06 DOI: 10.15541/ji SnO 的歧化反应对 SnTe 热电性能的优化 胡慧珊, 杨君友, 辛集武, 李思慧, 姜庆辉 (华中科技大学 材料科学与工程学院, 材料成型与模具技术国家重点实验室, 武汉 430074) 摘 要: PbTe 基化合物是一种热电性能优良的中温区热电材料, 但铅的毒性限制了其广泛应用, 因此类似化合物 SnTe 引起了人们关注。但SnTe 的载流子浓度较高和晶格热导率较大使其ZT 值较低。本研究利用SnO 歧化反应对 SnTe 热电性能实现了协同调控。热压烧结过程中 SnO 在 500 ℃左右发生歧化反应生成 Sn 单质和单分散的 SnO2 颗粒, Sn 单质作为自掺杂可以填充SnTe 中的Sn 空位, 导致载流子浓度降低: 相比于SnTe 基体, SnTe-6mol%SnO 样品在600 ℃下的电阻率从6.5 增大到 10.5 m, Seebeck 系数从 105 增大到 146 VK1 。同时, 原位反应生成的 SnO2 第二相单分散于晶界处, 多尺度散射声子传播而降低晶格热导率, SnTe-6mol%SnO 样品晶格热导率在 600 ℃ 下仅为0.6 Wm1K1, 相比于基体下降了33%左右, 从而使SnTe 体系的热电性能得到明显提高。最终, 当SnO 加 入量为6mol%时, 样品在600 ℃下的ZT 值~1, 相比于基体提升了一倍左右。 关 键 词: SnTe; 歧化反应; 热电性能 中图分类号: TB34 文献标识码: A High Thermoelectric Performance of SnTe from the Disproportionation of SnO HU Hui-Shan, YANG Jun-You, XIN Jin-Wu, LI Si-Hui, JIANG Qing-Hui (State Key Laboratory of Materials Processing and Die Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) Abstract: PbTe-based compositions are considered as excellent thermoelectric materials for the mid-temperature. However, the toxicity of lead limits its wide application. SnTe compounds, an analogue of PbTe, has attracted much attention. However, its ultrahigh carrier concentration and the large lattice thermal conductivity leads to a low ZT value of SnTe. In