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3 微 处 理 机 No． 3
第 期
20 12 6 MICROPROCESSORS Jun． ，20 12
年 月
· 、 ·
大规模集成电路设计 制造与应用
二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究
， ， ，
杨 光 苟 君 李 伟 袁 凯
( ， 610054 )
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都
: CHF 、CF 、CHF + CF 、CHF + O CF + O
摘 要 采用 3 4 3 4 3 2 和 4 2 五种工艺气体体系对二氧化硅
(SiO ) ， ，
2 作反应离子刻蚀实验 在确定最优刻蚀气体基础上 研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速
、 。 ， 79nm /
率 均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响 通过对实验结果比较分析 确定了刻蚀速率
min 、 4 % 、 0 ． 81 。
非均匀性 对光刻胶的选择比 的优化工艺
: ; ; ;
关键词 反应离子刻蚀 二氧化硅 刻蚀速率 优化工艺
DOI 编码:10 ． 3969 /j ． issn． 1002 － 2279 ． 20 12 ． 03． 00 1
中图分类号:TN4 文献标识码:A 文章编号:1002 － 2279 (20 12)03 － 000 1 － 03
Optimization Study on the Reactive Ion Etching for SiO2
YANG Guang ，GOU Jun ，LI Wei ，YUAN Kai
(University of Electronic Science and Technology of China ，State Key Laboratory
of Electronic Thin Films and Integrated Devices ，Chengdu 610054 ，China)
Abstract :The reactive ion etching for SiO was performed using CHF ，CF ，CHF + CF ，CHF +
2 3 4 3 4 3
O ，and CF + O as etching gases respectively． After the optimal etching gas had been ascertained ，the
2 4 2
relationship between RF power ＆ the ratio of different gases and the three major parameters of etching
rate ，uniformity ＆ selectivity was
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