更多的特点是相对较小的EMI滤波电容器值该电路相关的VIPer.DOC

更多的特点是： 相对较小的EMI滤波电容器值 该电路相关的VIPer“CONT”脚 首先是高功率因数的要求决定的，通常这些电容器有一个更高的值，以获得一个低输出纹波和降低EMI辐射，但这就不可避免地导致差的功率因数，出于这个原因他们的值作为妥协，开始设一般值，直到所需的PF可以达到且能减少他们（EMI）的值。 应小心设计的EMI滤波器由于上述表示的约束，在第4部分：测量两个版本，与他们不同的反应。 这种配置的主要缺点是，它缺乏一个初级侧的能量存储的大容量电容器，然后输出电流有较高纹波，除非有大的电解电容在二次侧。 第二点是正确的方法来获得一个良好的功率因数。 在谈到VIPer17/27; 离线高电压转换器，datasheets，CONT端子的控制，可以减少从内部的固定的MOS峰值电流设置点值的1 / 10，这可以通过此引脚和地之间连接一个电阻RLIM，图4和5名代表作为RLIM与流动比率iDlim /（iDlim @ 100K）函数，可以看出，逐步改变RLIM从100千欧到几千欧，相应的改变MOSFET的峰值电流限制。 一个可变电压通过一个固定的电阻连接到CONT引脚，可以实现相同功能，以这种控制峰值电流的方式可调制根本不同的控制电压：降低电压，降低电流。 那么，如果整流市电电压比例的应用到CONT输入，由此造成MOSFET的峰值电流，和相应的平均输入电流。正好像输入电压的波形，从而获得所需的高功率因数。 由分压电阻R2，R6和R13实现这个功能，其中R13取较低的值，修复的最低峰值电流。和R2 + R6的结果，以保证有足够的功率移交给输出（值越低，输出功率越高） 另一方面，保持一个恒定的（平均）输出电流，一些监控是必要的，因为这个原因，在二次侧，有一个感应LED电流误差放大器和驱动器的光耦(见 2.2节). 相应的光电晶体管的主要部分是连接到“FB”针，通过这个输入Viper的PWM比较器的电压被调制。这样，MOSFET的峰值电流包络如下面Vin的形状，它是某种有限的裁剪行动的反馈。值得注意的是，这个循环的带宽必须非常低，否则会抵消输入电压调制。 图6和图7显示了模拟的结果表示电路的行为。 图6是在没有FB引脚的反馈：只有Vin是适用于CONT端子。平均输出电流是1.12A 图7表示的反馈时也被迫FB引脚上的（Iout_avg = 0.7A）的条件。请注意，这是一个粗略的估计显示配置是如何工作的。 这个解决方案的限制之一是，CONT端子的电压要与AC输入电压成正比，然后在较高的VIN“修剪”更加明显导致PF更差。 为了克服这个问题，一种可能的解决办法可能是引入部分的FB的电压到CONT引脚; 在低交流输入时以这种方式提供了一个高失调电压，获得一个较为恒定的调制形状，和一个更好的PF。不幸的是，简单的电阻连接FB和CONT引脚之间，实现它是不可能的，适应阻抗水平是必要在输入的反馈信号之前驱动CONT。要做到这一点，NPN晶体管Q1采用射极跟随器配置的R10电阻提供的Vin和V_fb动作之间的正确平衡。减少其价值会增加对V_fb影响，获得更好的控制输出电流，即使在极端的电源和负载值; 另一方面，增加它使主要Vin的优化功率因数的影响。 2.2 二次侧 二次侧的一个TSM1052为参考电压和误差放大器的恒流控制回路，而CV运算放大器只是用来作为比较输出过压保护。配置是相当普遍的，两个放大器并列驱动光耦的光电二极管。 等效电路如图9。 第一点，这是值得注意的是电源电压去耦（R3，D5，C5，C7等）。它用于由于LED“开路”故障导致的过压情况下保护TMS1052，和过滤最终可能将其从输出线连接的噪音。此外，它避免了输出电压和它的纹波调制的光电二极管电流 （在这种情况下，而这个动作可以在CV的应用非常有用，在这个应用里不用它，因为它会引入电压反馈电流回路路径）。 第二点是有关TSM1052接地; 在此配置中的参考GND在电流检测电阻（R16，R17，R18并联）的左侧，TSM1052 GND引脚和R14的下侧连接到这一点。 在组件值来看，它可以指出的是： 1.电压放大器op_amp时间常数很短（R9 = 0Ω，C10 = 560 pF的）是因为电路以尽可能快的反应，输出过压保护。 2. 电流放大器op_amp的时间常数很长(R12 = 5.6 kΩ, C20 = 1 μF), 如前所述，这样做的原因是在实现电流的控制方式; 而VIN按周期循环调节CONT端子，电流反馈op_amp简单计算的平均输出电流，驱动器的FB（的cont）引脚的电压变化非常缓慢。出于同样的原因，并且那个电容C21 在主侧，有一个