硅片减薄技术研究.pdfVIP

DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2010.03.004 第10 卷第03 期 电 子 与 封 装 第10 卷，第03 期 总 第83 期 Vol.10 ，N o .03 ELECTRONICS PACKAGING 20 10 年0 3 月 封 装 、 组 装 与 测 试 硅片减薄技术研究 木瑞强，刘 军，曹玉生 （北京微电子技术研究所，北京100000 ） 摘　要：集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为满足IC 封装要求，越来越 多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能，降低功率 器件的电阻。因此，硅片减薄的地位越来越重要。文章简要介绍了减薄的几种方法，并对两种不 同研磨减薄技术的优缺点进行了对比。此外，从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所 使用的保护膜等几方面进行了实验的验证，分析了不同参数对质量的影响效果。并根据减薄后的 质量情况，使用统计方法，对减薄的过程进行了监控。 关键词：硅片；背面减薄；研磨 中图分类号：TN305.94 　　　文献标识码：A　　 　文章编号：1681- 1070 （2010 ）03-0009-05 The Study on Silicon Grinding Technology MU Rui-qiang, LIU Jun, CAO Yu-sheng （Beij ing M icroelectronics Technology Institute, Beij ing 100000, China ） Abstract: As IC chips are fast developing toward higher density, higher performance and smaller size, to meet the demands of IC package ，wafer thinning will play a more important role. In this paper, some methods about the thinning are introduced. The grinding parameters are discussed and the influence of tape on grinding quality is also described. Statistic is applied for grinding process. Key words:silicon; grinding; back thinning 学腐蚀 （PA CE ）、常压等离子腐蚀 （At m o sp h er i c 1 引言 Downstream Plasma Etching ，ADPE ）等，其中最常用 的减薄技术有研磨、CMP 、湿法腐蚀等。其中因为 随着集成电路向着短小轻薄的方向发展，封装 研磨的加工效率高，加工后的硅片平整度好，成本 中使用更薄的硅片已成为必然。