一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计-CORE.PDFVIP

第 10 卷 第 3 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．10，No．3 2012 年 6 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Jun．，2012 文章编号： 1672-2892(2012)03-0359-04 一种高电源抑制比和高精度带隙电压源设计 张啸诚，邢建力 (厦门大学 信息科学与技术学院，福建 厦门 361000) 摘 要 ：介绍了一种 BiCMOS 工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源，其输 出电压为 1.2 V ，在-40 ℃~80 ℃ 范围内有较好的温度特性，温度漂移系数为 9.8×10-6 ℃-1 。采用电 压负反馈原理和减少耦合电容的方法，使电路具有高的电源抑制比，并且电路结构简单，匹配性 好。采用 Hspice 工具对电路进行了仿真，验证了设计的正确性。该电路能广泛用于在电源环境恶 劣的场合下工作的集成电路中。 关键词 ：带隙电压；温度系数；BiCMOS 工艺；电源抑制比 中图分类号 ：TN402 文献标识码 ：A A BiCMOS-based bandgap reference circuit with high PSRR and precision ZHANG Xiao-cheng，XING Jian-li (School of Information Science and Engineering，Xiamen University，Xiamen Fujian 361000，China) Abstract： This paper describes the design of a bandgap reference circuit with high Power Supply Rejection Ratio(PSRR) and high precision. The circuit can output a reference voltage of 1.2 V and bears a temperature coefficient of 9.8 ×10-6 ℃-1 between -40 ℃ and 80 ℃. The circuit features high PSPR, simple circuit structure and excellent matching performance by using a negative-feedback loop and reducing the coupling capacitance. The correctness of the circuit design is verified through the simulation in Hspice. The circuit can be widely used in the integrated circuits working under harsh power environment. Key words：bandgap voltage；temperature coefficient；BiCMOS；Power Supply Rejection Ratio(PSRR) 尽管带隙电压参考的精度和温度漂移系数这 2 个参数是电路设计者重点考虑的指标 [1-4] ，但在开关电源系统