高线性FET阻性混频器的设计-微波杂志.PDFVIP

TechnicalFeature 技术特写 高线性FET阻性混频器的设计 Design of Highly Linear FET Resistive Mixers Matthew S. Clements Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis, Calif. Steve E. Avery and Richard Barber Cobham Advanced Electronics Solutions, San Jose, Calif. 混频器负责将信号转换为不同的频率，是必 混频器的设计需要综合考虑变频损耗、本 不可少的射频前端组件。它们将一个信号 振驱动、端口隔离、噪声、电压驻波比以及线 与目标信号混合，通过外差原理形成中频。混 性度等因素。这些参数对整体系统性能，尤其 频器在理想情况下可以输出干净的信号频谱， 是动态范围具有重大影响。主要来说，绝大部 然而实际通常会夹杂许多无用的杂散信号。此 分系统设计都需要线性度高、变频损耗低、失 外，电路寄生效应和器件非线性会进一步产生 真度低的混频器。而这些恰好是基于FET 的混频 混频杂散信号，从而限制系统性能。混频器可 器的优势所在。 以由各种类型的器件实现，包括二极管、场效 基于FET 的混频器的工作方式既可以是有源 应管（FET ）和双极型晶体管（BJT ）。每种器 的也可以是无源的。在有源模式下，FET通常加 件均有自己的优势和劣势。 了直流偏置作为放大器，但栅极接近夹断。本 Gate Bias RF Filter ZRF ZLO M1 RF IF LO IF Filter 图1：FET 阻性混频器。 gd(V ) gd(t) Ids g