基于四相旋转电流技术的CMOS垂直型霍尔传感器研究与设计-集成电路工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 标准 CMOS 工艺制造的霍尔传感器因具有成本低、抗干扰能力强、集成度高等众多优点 而成为研究热点。然而，相比双极和其他特殊工艺，CMOS 工艺制造的霍尔器件磁场灵敏度 低，失调严重，垂直型霍尔器件表现尤为明显。因此，CMOS 工艺下高性能垂直型霍尔传感 器的研究成为当下研究人员的重要任务。本文针对垂直型霍尔器件的优化和失调消除方法开 展了深入的研究，主要以下开展了以下工作： 第一，优化垂直型霍尔器件提高器件的灵敏度，减小霍尔失调。在 0.8 μm 高压 CMOS 工艺下通过 Silvaco 仿真工具优化的垂直型霍尔器件电流灵敏度高达 92V/(AT)，电压灵敏度 0.042V/(VT)，初始失调仅仅为几十 mV。第二，为了实现霍尔失调消除电路的混合仿真，为 六孔垂直型霍尔器件建立了 PSPICE 仿真模型，该模型考虑了器件的温度效应和结场效应， 因此能够准确的模拟霍尔器件的基本行为，仿真结果表明其误差低于 5%；第三，设计了一种 新颖的基于四相旋转电流法消除霍尔失调电路。该技术不仅能够消除由工艺偏差、温度漂移 和浓度梯度等引起的线性失调，而且能够消除由结场效应和机械应力等引起的非线性失调， 从而使残余失调更小。 本文实现了全集成垂直型霍尔芯片的设计，在 0.8 μm CMOS 工艺下完成了电路和版图设 计，并进行了前仿和后仿。结果表明，在 5V 电源电压下，本芯片能够有效消除失调电压并 线性放大霍尔信号，其剩余失调低至 0.2 mT，线性度为 99.9%。与在同一工艺下二相旋转电 流技术相比，剩余失调更小。 关键词: 集成霍尔传感器，垂直型霍尔器件，四相旋转电流，失调消除，模拟电路 I Abstract Hall sensors fabricated in standard CMOS process become research focus for its low cost,anti-interference ability, high integration, etc. However, compared to the bipolar and other special process, Hall device fabricated in CMOS process has low sensitivity and large offset, especially for the vertical Hall device. Therefore, the study of high-performance CMOS vertical Hall sensors has become an important task for contemporary researchers. In this paper, main works are as follow: Firstly, optimize vertical Hall device to improve the sensitivity and decrease the Hall offset. Based on 0.8 μm high voltage CMOS process, the optimized sensor achieves voltage related sensitivities of about 0.042V/(VT),current related sensitivities up to 92V/(AT) and the offset is only tens of millivolts. Secondly, a PSPICE model is establish