课件：华科高电压气体电介质的绝缘特性二.ppt

电晕影响的两面性 不利影响 ：能量损失；放电脉冲引起的高频电磁波干扰；化学反应引起的腐蚀作用等 有利方面：电晕可削弱输电线上雷电冲击电压波的幅值及陡度；利用电晕放电改善电场分布，提高击穿电压 ； 利用电晕放电除尘与臭氧发生器等 1.3.3 极不均匀场中的放电过程 一、非自持放电阶段 电子崩产生 阳极积聚正电荷 二、流注发展阶段 头部电场增强 ——新电子崩 ——流注前移 三、先导放电阶段 通道根部的电子最多——流注根部温度升高——出现热电离——先导通道（具有热电离过程的通道）。 新的电离过程使电离加强，电导增大，从而加大了其头部前沿区域中的场强，引起新的流注，导致先导通道不断伸长。 流注根部温度升高 热电离过程 先导 通道 电离加强，更为明亮 电导增大 轴向场强更低 发展速度更快 长空气间隙的平均击穿场强远低于短间隙 放电过程 四、主放电过程 先导头部达到板极。小间隙中的高场强引起强烈电离，带电粒子高。 强电离区迅速向阳极传播——主放电过程。 主放电通道贯穿电极间隙——击穿。 特点：由于其头部场强极大，所以主放电通道发展速度及电导都远大于先导通道。 １——主放电通道 ２——主放电和先导通道的交界区 ３——先导通道 先导的发展 正棒—负板间隙中先导通道的发展 （ａ）先导和其头部的流注ｋｍ；（ｂ）流注头部电子崩的形成； （ｃ）ｋｍ由流注转变为先导和形成流注ｍｎ；（ｄ）流注头部电子崩的形成； （ｅ）沿着先导和空气间隙电场强度的分布 1.3.4 极不均匀场中的极性效应 正棒－负板 电子运动速度快，迅速进入棒极； 棒极附近积聚起正空间电荷，削弱了棒极附近的电场强度而加强了正离子群外部空间的电场 结果： （1）使电晕起始电压提高。 （2）外部空间电场加强，有利于流注的发展，因此击穿电压较低。 负棒—正板 电子崩中的电子离开强电场区后，不再能引起电离，向阳极运动的速度也越来越慢。 电子崩中的正离子加强了棒极附近的场强，使棒极附近容易形成流注。 结论： （1）电晕起始电压比正极性时要低。 （2）正空间电荷产生的附加电场与原电场方向相反，削弱了外部空间的电场，阻碍了流注的发展，因此击穿电压较高。 后面内容直接删除就行 资料可以编辑修改使用 资料可以编辑修改使用 资料仅供参考，实际情况实际分析 * * 高电压技术 高电压工程系 tslc@mail.hust.edu.cn 刘春 气体间隙中的电流与电压的关系 气体间隙中的电流与电压的关系 (a)有气体间隙的直流电路；（b）气体放电的特性 第2讲回顾 带电粒子的产生与消失 汤逊理论 巴申定律的解释 汤逊理论的适用范围 第3讲 气体电介质的绝缘特性（二） 1.2.5 流注理论 在高气压长间隙条件下的气体放电理论 特点：认为电子碰撞电离及空间光电离是维持自持放电的主要因素，并强调了空间电荷畸变电场的作用 流注理论 电子崩阶段 空间电荷畸变外电场 流注阶段 光电离形成二次电子崩 两个阶段 （1） 电子崩阶段 （a）初始电子崩 阳极侧电子崩数目多 正空间电荷加强了原电场，同时向周围放射出大量光子 （一）流注理论 （b）二次电子崩 光子使附近的气体因光电离而产生二次电子 它们在由正空间电荷所引起的畸变和加强了的局部电场作用下，又形成新的电子崩，即二次电子崩 （2）流注的形成和发展 二次电子崩中的电子＋初始电子崩的正空间电荷——混合通道（流注）。流注通道和二次崩留下的正电荷，大大加强了流注发展方向的电场，产生新电子崩，从而使流注向前发展 （3）间隙的击穿 流注不断向阴极报进，头部电场越来越强，因而其发展也越快 流注发展到阴极，间隙被导电良好的等离子通道所贯通——间隙击穿 电离室 电离室结构示意图 1－照射火花间隙；2－石英窗；3－电极 4－玻璃壁；5－橡皮膜；6－绝缘柱 研究放电时的电路图 N－电离室；S－火花间隙； L、L、K－短路回路 在电离室中得到的初始电子崩照片 图a和图b的时间间隔为1?10-7 秒 p=270毫米汞柱， E=10.5千伏/厘米 初始电子崩转变为 流注瞬间照片 p＝273毫米汞柱 E=12千伏/厘米 电子崩在空气中的发展速度约为1.25?107cm/s 在电离室中得到的阳极流注发展过段的照片 正流注的发展速度约为1?108?2?108cm/s 自持放电条件 形成流注——空间光电离维持放电（自持放电） 如果电场均匀，间隙就将被击穿。所以流注形成的条件就是自持放电条件，在均匀电场中也就是导致击穿的条件。 流注形成的条件：足够的空间光游离——较多的初始电子崩（电子崩积累到一定的数量） （二）流注理论对高气压