第4章 根轨迹法.pptVIP

4.2 绘制根轨迹基本法则 绘制根轨迹的基本法则 4.2.1 根轨迹的个数(支路数) 4.2.4实轴上的根轨迹 4.2.5根轨迹的渐近线 4.2.7 根轨迹的分离点 4.2.9根轨迹与虚轴的交点 4.2.10闭环特征方程根之和 思考题与习题 1、2、4、5、8、10 * * 4.1 根轨迹与根轨迹方程 4.2 绘制根轨迹的基本法则 4.3 控制系统的根轨迹分析法 本章小结 思考题与习题 第4章 根轨迹法 4.1 根轨迹与根轨迹方程 4.1.1 根轨迹 当系统的某个参数变化时，特征方程的根随之在 S平面上移动，系统的性能也跟着变化。研究S 平面上根的位置随参数变化的规律及其与系统性能的关系是根轨迹分析法的主要内容。三大分析校正方法之一 系统开环传递函数的某一参数从0→∞变化时，闭环特征根在s平面上移动的轨迹，称为根轨迹。一般取开环增益K为可变参数。 特点：（1）图解方法，直观、形象。 （2）适用于研究当系统中某一参数变化时， 系统性能的变化趋势。 （3）近似方法，不十分精确。 R(s) C(s) 则闭环特征方程0.5s2+s+K=0的特征根为 当K =0时，s1=0，s2=-2 当K=0.5时，s1=-1，s2=-1 当K =1时，s1=-1+j，s2=-1-j 当K→∞时，s1=-1+j∞，s2=-1-j∞ 将以上计算结果标注在s平面上，并用平滑曲线将其连接起来，便得到K从0→∞变化时闭环特征根s1,2在s平面上移动的轨迹。 如图所示粗实线，即为该系统的根轨迹。箭头表示K值增加时，根轨迹的变化趋势。 (1) 开环增益K从0→∞变化时，根轨迹均在s平面左侧，故闭环系统对所有K大于零的值都是稳定的。 (2) 0K0.5，闭环特征根为两不等实根，系统呈过阻尼状态，阶跃响应无超调，具有非周期性；K=0.5，系统呈临界阻尼状态；K?0.5，系统呈欠阻尼状态，阶跃响应具有振荡衰减特性。K=1，系统处于最佳阻尼状态。 (3) K越大，共轭复根离实轴越远。 根轨迹图直观反映了参数K与特征根的分布关系，由此可得如下分析结果。 -1 -2 0 K=0 j -1 -2 -1 -2 S K→∞ K→-∞ K=0 4.1.2　根轨迹方程 描述闭环特征根随参数K变化的轨迹其关系的闭环特征方程就是根轨迹方程。 开环传递函数分子、分母多项式方程根的因式可表示为 　(m≤n) 称为开环传递函数的零、极点表达式。式中zj是分子多项式的根，又称开环零点(在s平面内用“○”表示)；pi是分母多项式的根，又称开环极点(在s平面内用“×”表示)； K*称做根轨迹增益(系统开环传递函数中将分子、分母s多项式最高阶阶系数换算为1后的总传递系数)，与开环增益K成正比。 由系统的闭环特征方程1+G(s)H(s) =0 可得 G(s)H(s) =-1 则: 根轨迹上的点都满足该方程， 被称为根轨迹方程。 也可用幅值、相角的形式表示，称为模方程和相方程。 式中：K=0、±1、±2、… 从这两个方程可以看出，模方程和增益K*有关，而相方程和增益K*无关。所以s平面上的某个点只要满足相方程，则该点必在根轨迹上。因此，相方程是决定s平面上一点是否在根轨迹上的充分必要条件。 根据根轨迹方程，无需对闭环特征方程式求解，只需寻找所有满足相角方程的s ，便可得到闭环特征方程式根的轨迹。同时，可由幅值方程来确定根轨迹所对应的K*值。 根据根轨迹的基本特征和关键点，就能比较方便地近似绘制出根轨迹曲线。 根轨迹绘制的基本法则必须满足两个条件：①系统为负反馈系统；②开环增益K从0→∞变化时系统的根轨迹(其他参数变化，经适当变换才可用基本法则)。 4.2.3根轨迹的起点和终点 4.2.2根轨迹的对称性 4.2.4实轴上的根轨迹 4.2.5根轨迹的渐近线 4.2.7根轨迹的分离点d 4.2.6根轨迹的起始角和终止角 4.2.9根轨迹与虚轴的交点 4.2.10闭环特征方程根之和 4.2.1 根轨迹的个数 4.2.8根轨迹的分离角与会合角 法则一:n阶系统有n条根轨迹 n阶系统的特征方程有n个特征根，当开环增益K从0→∞变化时，n个特征根随着变化，在s平面上出现n条根轨迹。 即:根轨迹的条数等于特征方程的阶次，即等于闭环极点数，亦等于开环极点数。 4.2.2　根轨迹的对称性 法则二:根轨迹对称于实轴 闭环极点若为实数，则位于s平面实轴上；若为复数则共轭出现，所以s平面上的根轨迹必然对称于实轴 σ jω 0 s1 s2 s3 s4 s5 s6 4.2.3根轨迹的起点和终点 1. 起点 根轨迹方程： 则 K=0 s=pi 根轨迹起始于开环传递函数的极点 即 Kr