光刻与刻蚀工艺流程课件整理.pptVIP

AUO Proprietary Confidential 光刻、显影工艺简介 光刻胶( Photo-resist )概述 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 光刻胶概述 高分辨率 High Resolution； 高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment 光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一：由树脂、感光化合物、溶剂 3 个基本部分组成； 具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、X射线、电子束等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化； +PR -PR Negative Photo-resist 负性光刻胶－负胶 Positive Photo-resist 正性光刻胶－正胶 曝光后不可溶解 曝光后可溶解 显影时未曝光的被溶解 显影时曝光的被溶解 便宜 高分辨率 +PR -PR基本原理 正胶工艺 负胶工艺 基板处理 涂胶 + 烘烤 曝光 显影、光刻 +PR -PR 树脂分子结构 正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后光刻胶在随后的显影处理中溶解度升高，曝光后溶解度几乎是未曝光时的10倍；更高分辨率（无膨胀现象）在IC制造应用更为普遍； 负胶：曝光时树脂聚合体主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体溶解度降低；由于光刻胶膨胀而使分辨率降低；其主溶剂，如二甲苯等会引起环境和安全问题； 光刻基本步骤 ? 涂胶 Photo-resist coating ? 对准和曝光 Alignment and exposure ? 显影 Development 详细光刻工序 ?基板清洗、烘干 目的：去除污染物、颗粒； 减少针孔和其它缺陷；提高光刻胶黏附性； ?PR涂布 小尺寸：旋涂； 中大尺寸：丝网印刷滚轮 ?Mask制作、曝光 auto CAD / Corel-draw； 小型曝光机：中型曝光机 ?预烘 110 °C ； ?坚膜 135 °C ； ?退胶 NaOH ； 光刻胶涂布-辊涂法 辊涂法主要是利用圆筒滚动的方法来转移光刻胶，如图所示，利用辊筒1和辊筒2的转动将光刻胶转移在刻有精细凹槽的辊筒2上，再通过辊筒2和辊筒3之间的挤压将辊筒2上凹槽里的光刻胶转移至基片上。这种方法的最大优点是可以实现流水线式运作，自动化程度高，生产效率也比较高。但是转移光刻胶均匀性不好，辊涂后的基片上也容易留下辊筒凹槽的痕迹，而且仪器清洗困难，辊筒也容易损坏，设备的购买成本和维护成本比较高 ； 光刻胶涂布-旋转涂布法 旋转涂布也称为甩胶，用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行，是利用高速旋转的离心力作用，将光刻胶在基片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉，最终获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制，通常这种方法可以获得优于±2%的涂布均匀性（边缘除外）。光刻胶涂布的厚度与转速、时间、胶的特性有关系，此外旋转时产生的气流也会有一定的影响。同时也存在一定的缺陷：气泡、彗星(胶层上存在的一些颗粒)、条纹、边缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。 预 烘（前烘） 目的：促使胶膜内溶剂充分地挥发，使胶膜干燥，以提高光刻胶在基片上的粘附性和均匀性，以及提高胶膜的耐磨性而不玷污mask； 前烘温度过高或时间太长：会导致光刻胶中的树脂分子发生光聚合或交联，造成显影困难，图形边缘锯齿严重。 反之：预烘烤不充分，光刻胶中的溶剂仍会有部分残留在胶膜中，曝光时会导致胶膜与掩膜版粘连，损害掩膜版；同时也影响到显影的质量，光刻胶在显影时容易脱落，光刻图形不完整。 Mask制作 ！！！ 注意：正图 / 反图 ！！！ * * AUO Proprietary Confidential