常压等离子体化学气相沉积制备纳米多孔硅基薄膜的过程和特性分析.pdfVIP

近，并且峰较窄，从430nm起存有较明显的宽峰谱带，据此判断， 此光致荧光现象有多种不同产生机理同时存在。对发光谱图进行了高 斯拟合分峰。结果发现，该光致发光谱基本上可以用峰位在 美拟合，表征了该薄膜可能存在若干种发光机制。对应于SEM的表 面结构的结果，我们也研究了偏压对发光强度的影响。发现随着偏压 的增加，薄膜的发光强度也有着明显地增加。由此判断，微纳米级硅 丝所组成的絮状多孔结构，与光致发光之间有着必然的联系。对此薄 膜的发光强度随时间的变化的研究，表明该薄膜的光致发光有着较好 的时效性。最后我们也对该薄膜的发光机理进行了初步的分析和探 讨，认为，该发光主要是由于量子限域效应和氧缺陷所引起。 关键词：常压等离子体化学气相沉积，多孔硅基薄膜，负偏压，光致 荧光 oftheProcessand ofNanoPorous Investigation Properties Silicon-basedThinFilm PlasmaEnhanced byAtmospheric Vapour