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电气控制与PLC课程设计 题目：单结晶体管触发电路设计 系别：xxx 专业：xxx 姓名：xxx 学号：xxx 指导教师：xxx 一．设计题目 单结晶体管触发电路设计 二．设计要求 1、完成电路图设计，确定器件。 2、计算器件参数，列出材料（器件）清单。 3、撰写电路设计说明书一份，3000字左右。 4、设计时间：一周（17周）。 5、设计完成，上交全部设计材料（用档案袋装好）。 6、遵守设计纪律，如有事，需提前请假。 7、设计成绩根据设计说明书及平时考勤综合评定。 三．实验线路、原理及介绍 晶闸管是硅晶体闸流管的简称，它包括普通晶闸管和双向、可关断、逆导、快速等晶闸管。普通型晶闸管（Thyristor）曾称为可控硅整流器，常用SCR（Silicon Controlled Rectifier）表示。在实际应用中，如果没有特殊说明，皆指普通晶闸管而言。晶闸管主要用来组成整流、逆变、斩波、交流调压、变频等变流装置和交流开关以及家用电器实用电路等。 单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。 1、如下图所示，它能产生一系列脉冲，用来触发晶闸管。 （a）电路图 (b)波形图 单结管振荡电路及波形 2． 当合上开关S后，电源通过R1、R2加到单结管的两个基极上，同时又通过R、RP向电容器C充电，uC按指数规律上升。在uC（uC=uE ）UP时，单结管截止，R1两端输出电压近似为0。当uC达到峰点电压UP时，单结管的E、B1极之间突然导通，电阻RB1急剧减小，电容上的电压通过RB1、R1放电，由于RB1、R1都很小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压uo。当uC下降到谷点电压UV时，E、B1极之间恢复阻断状态，单结管从导通跳变到截止，输出电压uo下降到零，完成一次振荡。 3． 当E、B1极之间截止后，电源又对C充电，并重复上述过程，结果在R1上得到一个周期性尖脉冲输出电压，如图所示。 上述电路的工作过程是利用了单结管负阻特性和RC充放电特性，如果改变RP，便可改变电容充放电的快慢，使输出的脉冲前移或后移，从而改变控制角α，控制了晶闸管触发导通的时刻。显然，充放电时间常数τ=RC大时，触发脉冲后移，α大，晶闸管推迟导通；τ小时，触发脉冲前移，α小，晶闸管提前导通。 需要特别说明的是：实用中必须解决触发电路与主电路同步的问题，否则会产生失控现象。用单结管振荡电路提供触发电压时，解决同步问题的具体办法可用稳压管对全波整流输出限幅后作为基极电源，如图所示。图中TS称同步变压器，初级接主电源。 4.单结晶体管简介 只有一个 HYPERLINK /wiki/PN%E7%BB%93 \o PN结 PN结作为发射极而有两个 HYPERLINK /wiki/%E5%9F%BA%E6%9E%81 \o 基极 \t _blank 基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时（图中b），电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使 HYPERLINK /wiki/%E5%8F%91%E5%B0%84%E6%9E%81 \o 发射极 发射极和B1之间的电阻减小， HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E6%B5%81 \o 电流 电流增大， HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E5%8A%BF \o 电势 电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c）,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。 5．单结晶体管的特性 由图可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85