硅基二氧化钒薄膜制备及在太赫兹开关器件方面的应用-材料科学与工程专业论文.docxVIP

I I 摘 要 摘 要 太赫兹波(Terahertz, THz)是介于微波和红外波之间的电磁频谱。传统的高频电 子器件和光学器件在 THz 频段不适用，因此对可应用在 THz 频段的功能材料和器 件的研究备受关注。二氧化钒(VO2)在热、电、光等外场驱动下会发生金属态到半 导体态相变，使得它在电磁波尤其是太赫兹波调控器件中具有重要应用价值。但 到目前为止，基于热控和光控的 VO2 太赫兹器件存在操作不便，无法与高速电子 系统相兼容等问题。 本文主要针对太赫兹通信、成像等应用系统的实际需求，研究在硅(Si)衬底上 制备高质量 VO2 相变薄膜的技术和方法，并以 THz 开关器件为代表，验证薄膜性 能，形成实现电控型太赫兹功能器件的技术方案。 首先研究了 Si 基底上 VO2 薄膜的制备技术。由于 Si 基底和 VO2 薄膜之间大 的晶格失配度等原因，直接在 Si 基底上制备高取向、高质量的 VO2 薄膜相对困难， 电阻变化约 2 个数量级。 为了改善 Si 基 VO2 薄膜的性能，我们利用原子层沉积技术（ALD）在 Si 衬底 上制备均匀致密的氧化铝(Al2O3)作为提高 VO2 薄膜性能的缓冲层。与直接在 Si 基 底上制备的样品相比，缓冲层的引入使 VO2 薄膜发生相变时的电阻变化(ΔR)提高 一个数量级，热滞回线宽度(ΔT)和弛豫时间(ΔH)均达到显著改善。同时，构建了 基于 VO2 的二端平面器件，其电流-电压(I-V)特性显示，VO2 薄膜具有明显的电致 相变特性，VO2 薄膜发生电致相变时电流跃迁幅度超过 2 个数量级，弛豫电压宽度 约 0.1V。 基于 Al2O3/VO2/n-Si 结构，构建了一种“金属-氧化物-绝缘层-半导体”（MOIS） 垂直器件结构。I-V 测试表明由于 Al2O3 缓冲层的存在，该器件的漏电流降低到 10μA，能够显著抑制相变过程中焦耳热的产生，有望实现超快开关。并对器件电 容-电压特性(C-V)进行了分析。观测到在一定的偏压下，器件电容突然变小的现象， 对电场触发 VO2 薄膜相变的 Mott-Hurband 机制起到一定的支撑作用。 本文在制备的 VO2 样品表面制作微叉指电极阵列，构建了一种可应用在 THz 波段的电控开关器件。结果表明在 0.2THz-1THz 这个频段范围内，通过电驱动 VO2 相变而实现对 THz 波的有效开关效果，最大消光比为 11dB，该开关操控简单，具 有宽频特性，显示了 Si 基 VO2 薄膜在 THz 功能器件上的巨大应用潜力。 关键词：二氧化钒薄膜，电致相变，太赫兹，开关 II II ABSTRACT ABSTRACT Vanadium dioxide (VO2) is an exotic material since discovered they underwent a metal-to-insulator transition when exposed to thermal or voltage stimuli. Due to their dramatic changes in their electrical, optical and magnetic properties during the phase transition, the VO2 thin films may have numerous applications in thermal, electrical, and optical devices, etc. We first discusses the phase transition performance of different crystallization. Then, we deposited VO2 film with resistance change of 2 orders magnitude on Si substrate. The large crystal lattice mismatch sets big obstacles for directly depositing VO2 on silicon substrate. To better apply to the electronic and optical devices, it is urgent to improve the quality of VO2 thin film on silicon substrate. A dense and smooth Al2O3 thin film was deposited by PE-ALD technique to tune the phase transitions of VO2 thin