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中文摘要
由于银类化合物可见光光催化材料的禁带宽度大多较窄,而且在可见光照 射下分解的银存在贵金属等离子体共振效应,它们往往比传统光催化材料 TiO2 表现出波长范围更广的光响应以及更高的光催化性能。为了进一步增强其光催 化性能,需要对银类化合物可见光光催化材料进行表面改性研究。近年来,过 渡金属表面修饰提高光催化性能的方法由于其操作简单及成本低廉的优点而受 到人们的关注。本论文以 Cu(II)为通用电子助剂和以 CoPi 为空穴助剂来增强银 类化合物光催化性能。具体研究内容和结果为:
(1)采用浸渍法将 Cu(II)助催化剂负载于 AgCl 表面,合成高效 Cu(II)/AgCl 光催化材料。光催化降解甲基橙溶液的实验结果表明,当 Cu(NO3)2 浓度达到 0.05 mol?L-1 时,所制备的 Cu(II)/AgCl 的光催化降解速率常数为 4.2×10-2 min-1,是 AgCl(2.0×10-2 min-1)的 2.1 倍,且优于贵金属 Pt(1 wt%)修饰 AgCl 的光催化性能, 并在多次循环降解后仍具有很好的稳定性。同样,Cu(II)/AgCl 对苯酚的光催化 降解速率常数为 1.38×10-2 min-1,优于 AgCl(1.1×10-2 min-1)且性能具有稳定性。 Cu(II)/AgCl 光催化性能提高的主要原因是:Cu(II)作电子助剂可捕获光生电子, 加速光生电子的转移,加快 AgCl 表面的氧气还原反应,从而抑制光生电子与空 穴的复合,提高光催化性能。进一步研究发现,Cu(II)助剂表面修饰适用于其他 银类化合物光催化材料,经 Cu(II)修饰后 AgBr、AgI、Ag3PO4、Ag2CO3 和 Ag2O 的降解速率常数分别为 4.9×10-2、1.5×10-3、3.9×10-2、1.6×10-2 和 6.9×10-2 min-1, 约是未修饰样品的速率常数的 1.3、2.0、1.4、2.0 和 2.1 倍。因此,Cu(II)可以作 为通用电子助剂提高银类化合物的光催化性能。
(2)采用光沉积法将 CoPi 助剂负载于 Ag3PO4 表面,合成 CoPi/Ag3PO4 光催 化材料。光催化实验结果表明,CoPi 占 Ag3PO4 质量百分比达到 0.3 wt%时, CoPi/Ag3PO4 的光催化降解速率 最 高 , 速 率 常 数 为 9.2×10-2 min-1 ,是 Ag3PO4(1.4×10-2 min-1)的 6.6 倍,且对苯酚的降解同样比 Ag3PO4 更具有优势。结 合 CoPi/Ag3PO4 的表征和性能实验结果,提出了 CoPi/Ag3PO4 光催化机理。 CoPi/Ag3PO4 光催化性能提高的主要原因是光生空穴经表面界面电荷转移到 CoPi 助催化剂上,CoPi 作为空穴助剂加快了光生空穴的转移,加强 Ag3PO4 表 面的氧化反应程度,促进光生电子与空穴的分离,提高了光催化性能。基于前 期实验,提出 Cu(II)作电子助剂和 CoPi 作空穴助剂共修饰来提高 Ag3PO4 光催化 性能。实验结果表明,当 Cu(NO3)2 浓度达到 0.05 mol?L-1,CoPi 百分比含量占
I
Ag3PO4 达 0.3 wt%时,CoPi/Cu(II)/Ag3PO4 对 MO 溶液的光催化降解速率常数为
×10-1 min-1,是分别是 Ag3PO4、Cu(II)/Ag3PO4 和 CoPi/Ag3PO4 的 11.4、4.1 和
1.7 倍。性能增强的原因是 Cu(II)作电子助剂和 CoPi 作空穴助剂共修饰可同时加 速光生电子和空穴的转移,更大程度提升了光催化性能。
关键词:过渡金属,表面修饰,银类化合物,C
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