硅衬底与碳、氮、铒原子反应生成的超薄膜的表面结构研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘要 摘要 稹旦火擎 博士论文 摘要 硅衬底与碳、氮、铒原子反应生成的超薄膜的表面结构研究 物理系 凝聚态物理专业 研究方向：半导体表面界面物理 学生姓名 杨建树 导师 王迅院士 本论文是关于硅基底上形成的曼查丝丝硅墅卷岛，、塑佳硅薄膜和铒硅化食 、物表面结构的研究，主要包括以下四个方面的工作： 一、硅基底上自组织生长碳化硅纳米岛及表面结构特征： ， 佧u用C。与衬底si原子的热反应，可以在Si(111)和Si(001)表面形成p相晶 态纳米碳化硅岛。用STM观察，发现在Si(001)表面形成的SiC岛上，普遍具 有有序的SiC(001)一(2×3)周期结构，岛侧面为SIC(111)一(245×2√3)R30。周期性 小面结构。岛的尺度小于Si(111)表面上形成的碳化硅纳米岛。在Si(111)面上的 碳化硅岛，并不是每一个岛顶面都能够观察到有序的周期结构，其中晶态纳米 岛的顶面上为f2√j×243)R30。再构的SiC(111)N，岛的侧面没有发现特定的小 面结构，而是平台宽度不一的台阶。通过对单原子台阶高度的测量，进～步证 明表面出现的是D相的晶态碳化硅岛。这一结果改变了以前普遍认为的以这种方 式生长在si(1 1 1)表面的SiC岛的晶体质量优于si(001)表面的SiC纳米岛的说 法，和以前报道的透射电子显微镜(TEM)观察到的碳化硅岛与Si(001)之间的 界面清晰有序，而与si(1 1 1)之间的界面结构无序的结果一致。 J．Yang s“曲cPPhysicsLab(NationalKe)，Lab) 摘要 摘要 援g盖擎 博士论文 二、 SiC／Si(111)表面(2√3 x 2√3)R30。再构的匾王缝趁； 为了解Si(111)上形成的p相碳化硅纳米岛上SIC(111)-(2√3×2,5)R30。表面 再构的原子结构，我413矛t3用STM详细研究了不同样品偏压下图像的变化，观察 到随着偏压的变化，表面结构依次表现出(2×2)、(245×2,5)R30。和Y型再构 形式。由此提出了sic011)一(2,／5×245)n30。的原子结构模型，称之为 “demisemi vacancy”模型，这一模型可成功地解释我们所观察到的实验现象。广一-一 三、si(111)表面氮化和SFSiN；／si窆星缝捡的生长j ／ 临硅衬底上氮化硅薄膜的生长，是利用高温下清洁si样品暴露在含氮气氛 ＼ 中形成的。通过系统的实验研究，我们发现在Si(001)表面不能形成任何晶态的 氮化膜，但在适当的实验条件下，Si(111)表面可以形成有适当氮／硅配比的p相 晶态si3N4薄膜，表面呈现p—Si，N4(0001)-(4x4)再构。这里所谓适当的实验条件 指的是一定的氮化温度和氮化气体的纯度。当氮化温度较低或氮化气体不够纯 时，Si(111)表面形成的氮化膜呈现“8／3x8／3”的近周期结构。 (1)Si(1 1 1)表面的氮化 NH，在室温或更低的温度下就可以和硅发生化学反应，这样的反应容易发 生在si(111)表面中心顶戴原子处，表面的角洞和角洞周围的六个顶戴原子没有 发生变化。将样品在600。C退火或者在此温度下使样品直接氮化，表面出现三 类局域结构。一类是没有确定边界形状的二维硅岛，硅岛上呈现(5x5)、(7x7) 和(9x9)再构。一类是同样没有确定边界形状的二维氮化膜岛，岛上是 “8／3x8／3”的近周期结构。第三类是位于前面两类二维岛之间的无序结构。进 一步高温退火(低于800。C)或者高温下对样品直接氮化后，表面出现的是三 角形状或多边形状的二维硅岛，岛上普遍是(7x7)表面再构，这些岛之外是氮化 膜“8／3x8／3”的近周期结构。 J．Yang SurfacePhysicsLab(NationalKeyL口¨ 摘要 摘要 顿g史孥 博士论文 在样品氮化、或氮化后退火温度高于800。C时，氮化膜表面出现一种完全 不同的结构形态。LEED衍射斑点显示较为均匀的“8x8”图样，STM观察到 3．07 nlTl的周期结构，最小的台阶高度为O．29