过渡金属酞菁分子吸附体系中近藤效应的研究-凝聚态物理专业论文.docx

谨以此文献给我的父亲母亲 谨以此文 献给我的父亲母亲 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 在单个原子或分子尺度上调控原子或者分子的电荷和自旋态不仅对自旋一电 子以及自旋一自旋相互作用有着更基础的理解，而且也是发展和设计自旋电子学 和量子信息处理器件的先决条件。一方面，自旋电子学器件正是基于原子或者 分子的电子自旋这一基本的物理量对要处理的数据进行保存和输运，与当前广 泛应用的基于硅半导体材料的电子器件相比有很多潜在的优点；另一方面．量 子计算机对于处理特定的问题有着比经典计算机更快的优势，为实现这一优势， 必须要解决的是量子比特之间的操作和产生纠缠态，自旋比特由于其可测量性 和微型化的特点是实现量子处理过程中一个很有希望的候选者。所以为了获得 更高性能的自旋电子学和量子信息处理器件，关键点是实现对原子或分子的电 子自旋进行有效地测量和调控。在凝聚态物理中，近藤效应(Kondo effect)是一 种很典型的自旋一电子关联现象，它由局域自旋被周围环境的巡游电子的自旋屏 蔽所引起o Kondo态的形成标志是费米能级处一个尖锐的重整化的准粒子峰的 出现一即所谓的Kondo共振峰。由此我们可以通过对体系Kondo信号的观测来 间接实现对原子或分子的电子自旋的测量和调控。本论文致力于研究过渡金属 酞氰分子(主要是FePc和CoPc分子)吸附在非磁性金属表面体系中的Kondo 效应。我们发展了一种结合第一性密度泛函理论(DFT)和求解量子磁性体系输 运性质的级联耦合运动方程组(Hierarchical Equations of Motion，HEOM)的方 法(DFT+HEOM)，给出了三种典型的呈现出Kondo效应的分子吸附体系的详 细理论解决方案：d-CoPc／Au(111)，FePc／Au(111)，多层CoPc／Pb(111)吸附体 系。我们的计算结果给出了吸附体系的基态几何结构，基态电子结构性质，和在 不同温度下的输运性质，尤其是通过模拟扫描隧道显微镜(STM)实验中测得的 微分电导谱(dI／dV)来描述体系的Kondo共振。本论文具体安排如下： 在第一章，我们详细介绍了Kondo效应以及相关的Kondo共振的背景，包 括Kondo效应的起源，相关实验和理论上关于Kondo效应的研究进展，重点讨 论了理论上研究Kondo问题的s—d交换模型和安德森磁性杂质模型，以及近十 多年来实验上观测到的原子吸附体系和分子吸附体系中的Kondo效应。 在第二章，我们详细介绍了DFT+HEOM方法，包括DFT和HEOM的 基本理论框架o DFT+HEOM方法的基本思路如下：首先通过DFT计算吸附体 系的基态性质，尤其是基态的电子结构，我们可以了解此体系的基本信息：如体 系磁矩，自旋密度分布，电子在每个轨道上的占据数等，我们由此可以确定体 系的基本物理量。再结合描述磁性杂质吸附体系的安德森杂质模型，用HEOM 方法求解体系的Kondo物理，主要是计算两个可以与实验结果直接对比的物理 量一谱函数和微分电导谱，也可以计算体系在外加磁场，晶体场作用下的输运性 质。通过与STM实验测得的dI／dV谱做对比，我们的理论可以很有效的描绘 万方数据 摘要体系的Kondo物理现象。 摘要 体系的Kondo物理现象。 在第三章，我们具体应用上述的DFT+HEOM方法研究了d-CoPc／Au(111)， FePc／Au(111)，多层CoPc／Pb(111)三个吸附体系的Kondo效应。 ·在CoPc／Au(111)吸附体系中，相关的STM实验观测到如下实验现象：完 整的CoPc吸附在Au表面不表现出Kondo效应；当把CoPc四个Pc环上 的8个氢原子通过STM针尖操纵而去掉时。此时测量通过系统的dI／dV 谱，发现在零偏压附近出现一个随温度变化峰强度和宽度的共振峰，说明 此时体系发生了Kondo共振，实验测得的临界Kondo温度为208 Ko我 们采用DFT+HEOM方法研究此体系在前后STM实验中的电子结构性 质和Kondo物理，尤其是发生Kondo共振时吸附体系的电子结构的变化o DFT计算表明完整的CoPc吸附在Au表面时，CoPc分子通过电荷转移 得到了一个从衬底来的电子，整个吸附体系自旋为S=0，所以此时不呈 现Kondo效应：而当CoPc分子四个Pc环上的8个氢原子去掉时，整个 CoPc分子的几何构型发生改变，中心的Co离子距离衬底比较远，衬底和 co离子之间的电荷转移难以发生，此时整个体系的自旋变为S=1／2，磁 矩主要由Co离子的单占据也z轨道贡献。所以在低温时，此自旋可以被衬 底的传导电子屏蔽，从而发生自旋S=1／2的Kondo效应。采用HEOM 方法计算得到的dI／dV谱与实验吻合得比较好，理论预言的Kondo温度 为230K，与实验也很接近o