过渡金属二硫化物纳米结构边缘特性和形貌研究-光学工程专业论文.docxVIP

Study on Transition Metal Disulfide Nanostructures Edge Properties and Shapes By Tao Shen A Dissertation Submitted to China Jiliang University In partial fulfillment of the requirement For the degree of Master of engineering China Jiliang University June, 2015 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的 研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他人已经发 表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 中国计量学院 或其他教育机构的 学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均 已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 学位论文作者签名： 签字日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解 中国计量学院 有关保留、使用学位论文的 规定。特授权 中国计量学院 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数 据库进行检索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借 阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。（保密的学位论 文在解密后适用本授权说明） 学位论文作者签名： 导师签名： 签字日期： 年 月 日 签字日期： 年 月 日 致 谢 深深地感谢我的导师梁培副教授以及实验室的另一位老师舒海波老师在学 术上给予我的指导，两位导师渊博的学识，严谨的治学态度，对待科研教育认 真负责、创新的态度，永远值得我学习；他们缜密的思维以及对待祖国教育事 业的献身精神，必将影响我终身，永远激励着我不断前进。同时还要感谢辅导 员鄂非在生活上对我细微的关照。在我攻读硕士学位期间，学习上和生活上除 了都得到了三位导师的热心帮助和关心爱护外，还有很多任课老师、学院领导 也给予了很大的帮助，这里同样也要对他们表示感谢。 感谢我的师兄刘阳在我刚进入课题研究阶段给予我的指导；感谢我的几位 同学—傅重源、吴琼、刘丹在学习中互相讨论给予我的灵感；感谢在实验室学 习的师弟师妹们对于我的帮助和支持。 最后我还要感谢我的家人，在攻读硕士期间，无论在精神上还是物质上， 都是他们给予了我最坚定的支持，让我能够没有顾虑地完成我的硕士学业。 沈涛 2015 年 6 月 过渡金属二硫化物纳米结构边缘特性和形貌研究 摘要：纳米材料具有显著的量子尺寸效应，在电学、光学等诸多领域有着广泛 的应用前景。以二维材料石墨烯为代表，近年来该领域成为了研究的热点领域。 但石墨烯是零带隙材料，其在半导体领域特别是光电子器件领域的应用受到了 很大限制。研究发现以过渡金属二硫化物为代表的一些类石墨烯的二维材料同 石墨烯有着类似的结构，同时存在大小不一的能带隙，使其在光电半导体器件 领域有更为广阔的应用前景。 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，选取了过渡金属二硫 化物中最常见的二种材料 MoS2 与 WS2，研究了其电子特性。着重研究了 MoS2 多体系的电子结构特性和光学特性以及 MoS2 与 WS2 量子点边缘特性和形貌的 调控机制，其目的在于从微观尺度探究此类材料的稳定性和电子结构的调控规 律，为该类型材料的理论研究提供借鉴，为合成和应用提供理论依据。 第一章是关于该论文的选题背景和意义；第二章介绍了该论文使用的研究 方法的理论基础；第三章至第五章详细介绍了作者在攻读硕士学位期间所做的 主要研究工作和取得的主要结果，其内容和结论概括简单如下： 1.对于 MoS2 电子结构的理论计算表明 MoS2 块体材料为间接带隙半导体 材料，单层的 Mo 原 子与 S 原子之间通 过 共价键结 合在一 起， 层与层之 间 通过范德 瓦尔斯 力相 互连结。 当 MoS2 体通材料转变为层状结构时，其能带 结构发生了变化，带隙大小随着层数的变化发生了可控的变化。而当其转变为 MoS2 单层结构时，其能带结构表明 MoS2 单层是直接带隙半导体。这种从体材 料随着层数减少而逐渐发生能带变化的特性，在实际的实验和生产中能够很好 地调控 MoS2 的能带结构。 2.应用第一性原理计算方法，研究了 MoS2 量子点的生 长规律 并对 其稳定 性和电子 结构进 行了 讨论。研 究发现 MoS2 量子点的边缘 形貌 特点 随着 化 学势的变 化发生 规律 性的改变：以 Mo-S 边缘构成 的锯齿 形三 角形边缘 在 富 S 条件下 较为稳 定 ；以 S 边缘 和 Mo-S 边缘构 Mo-S 边缘 成 的六边形 结 构在化学 势处于 中间 态时较为 稳定；