高功率垂直腔面发射半导体激光器优化设计研究-物理学报-中国.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ( / #$$’ / ， ， ， )E .( QE ./ +KRSK1TKL #$$’ （ ） !$$$#/$7#$$’7( $/ 7#/%G$( 5*N5 9OP+2*5 +2Q2*5 #$$’ *?=0 . 9?D6 . +EF . !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 高功率垂直腔面发射半导体激光器优化设计研究 ） ） ） ） ! ! ! ! 李惠青 张 杰 崔大复 许祖彦 # ） # ） # ） # ） # ） # ） 宁永强 晏长岭 秦 莉 刘 云 王立军 曹健林 !）（中国科学院物理研究所，光物理重点实验室，北京 !$$$%$ ） # ）（中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室，长春 !$$ ） （ 年 月 日收到） #$$’ ( #’ 与传统的端发射半导体激光器相比，垂直腔面发射半导体激光器（ ）具有可单模输出，光束对称性好，可 )*+,- 被高度聚焦，进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优点 为了得到高功率的激光输出，除了要增大 . 的发射面积之外，关键的是要选择适当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等 本文 )*+,- . 详细研究和分析了高功率)*+,- 有源区量子阱层数，有源区直径，材料的热导和电阻，电极间距等对)*+,- 器件 性能的影响. 通过优化参数，进行最佳设计，研制出了/%$ 01 20 34 567 3456 )*+,- 器件，单管室温连续波输出功 $ .# $ .% 率已达!./(8，为目前最高输出功率. 关键词：垂直腔面发射激光器（ ），量子阱，高功率 )*+,- ： ， !## ’#((9 :#$; 率!$ 8 . !H 引 言 就高功率)*+,- 器件而言，结构参数的优化， 良好的热沉，以及合适的氧化物限制层等对器件的 垂直腔面发射激光器（ ）的出现正引发了