有序纳米结构精品课程.pptVIP

第五章 有序纳米结构及其应用 有序纳米结构是指由零维纳米微粒、一维纳米材料构筑的，在长程范围内具有一定排布规律，有序稳定的纳米结构。 光刻技术主要包括图形复印和定域刻蚀两个方面。 图形复印，就是经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。 定域刻蚀就是利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。 经连续化的图形化、显影、腐蚀和沉积许多不同的工序就可以制造复杂的集成电路。 光刻技术有两个重要的指标：分辨率和焦深。 根据瑞利定律：R=k1λ/NA ，D=k2λ/(NA)2 R为分辨率，D为焦深，λ为曝光波长； NA为数值孔径，由成像系统决定，k1和k2是与系统有关的常数。 曝光系统的极限分辨率为λ/2，即半波长。 波长193 nm的光源（ArF激光器）分辨率可达0.1 μm； 157 nm的光源（F2激光器）分辨率可达0.08 μm。 减小波长、增加数值孔径、减小k1等方式都可以提高光刻曝光系统的分辨率，其中减小波长是主要手段。 分辨率表示能分辨的最小线宽； 光学光刻的分辨率决定了芯片上单个器件的最小尺度。 5.1.1 极紫外光刻（EUVL）和X射线光刻（XRL） 极紫外光刻( EUVL) 技术：用波长范围为11~14 nm的光，经过周期性多层膜反射镜，照射到反射掩模上，反射出的EUV 光再经过投影系统，将掩模图形形成在硅片的光刻胶上。 X射线光刻技术通常采用的波长范围在0.4~1.4 nm，可获得极高的分辨率。 因为无法对X 射线聚焦，所以采用的曝光系统基本都是无投射光学系统的近贴式和1∶1 投影式。 X 射线掩模版是由氮化硅或碳化硅等轻元素材料做成1~5 μm 厚的薄膜底版，然后在上面根据电路图形要求，沉积0.14~0.17 μm厚的重金属层（通常为金或钨），作为吸收层。 X 射线掩模版制作困难；受热容易变形。 5.1.2 电子束刻蚀（EBL）和离子束刻蚀（IBL） 无需掩模版 波长更短 电磁透镜聚焦 速度极慢 电子散射造成邻近效应 目前的发展趋势：电子束刻蚀与光学光刻的混合匹配曝光技术 即电路的大部分工艺由光学光刻完成，超精细图形由电子束光刻完成。 电子束光刻一般用于制作高精度掩模 线宽分别为100 nm和12 nm的纳米线条、规则的六角图案。 离子束刻蚀 ： 散射极小,邻近效应几乎为零（离子质量重 ）； 感光胶对离子的灵敏度高。 聚焦离子束系统所采用的静电透镜有较大的色差系数（离子的能量分散 ），分辨率比电子束曝光低 ； 曝光深度有限。 离子束曝光在集成电路工业中主要用于光学掩模的修补和集成电路芯片的修复。 5.1.3 纳米压印技术（NIL） 通过将具有纳米图案的模版以机械力( 高温、高压) 压在涂有高分子材料的硅基板上, 等比例压印复制纳米图案, 进行加热或紫外照射, 实现图形转移。 加工分辨力只与模版图案的尺寸有关, 而不受光学光刻的最短曝光波长的物理限制（线宽在5 nm以下 ）。 由于省去了光学光刻掩膜版和使用光学成像设备的成本，因此纳米压印技术具有低成本、高产出，同时不需要很多的资金来维持生存的经济优势。大面积、快速、多层纳米压印技术的发展使得纳米压印曝光技术很可能成为下一代电子和光电子产业的基本技术。 纳米压印技术主要包括热压印（HEL）、紫外压印（UV-NIL）以及微接触印刷（μCP）。 5.1.3.1 热压印技术（HEL） 整个热压印过程可以分为三个步骤： (1) 聚合物被加热到它的玻璃化温度以上。 (2 ) 在印章（SiC）上施加机械压力（气压小于1 Pa ）。 (3) 冷却到聚合物玻璃化温度以下，以使图案固化，便于脱模。 5.1.3.2 紫外压印技术 紫外压印对环境要求更低，仅在室温和低压力下就可进行，从而使该技术大大缩短生产周期，同时减小印章磨损。 5.1.3.3 微接触印刷(μCP) 微接触印刷：弹性模板结合自组装单分子层技术。 NIL技术除具有操作简单的优点之外，还具有一个突出的优点，就是可以采用层层压印的方式获得三维有序纳米结构。 “纳米压印” 特点： 高分辩率：没有衍射和散射现象； 高产量：可以象光学曝光那样并行处理，批量生产； 低成本：不需要复杂的光学系统和电磁聚焦系统 。 因此纳米压印可望成为一种工业化生产技术，从根本上开辟了各种纳米器件生产的广阔前景。 5.1.4 其它几种纳米刻蚀技术 5.1.4.1 纳米掩膜刻蚀技术 原理：将具有纳米结构的材料有序排布成所需的阵列，通过转移技术转移到基片