采用优化的腐蚀工艺对TiSi2接触特性的改善.pdf

第35卷第6期 北京工业大学学报 VoI．35No．6 2009年6月 OFBEIJINGUNIVERSITYOFTECHNOLOGY Jun．2009 JOURNAL 采用优化的腐蚀工艺对TiSi2接触特性的改善 田 波，吴 郁，胡冬青，亢宝位 (北京工业大学电子信息与控制工程学院。北京 100124) 物的损失、提高接触电阻的问题。提出一种采用2次选择性腐蚀的工艺方法进行改善．通过具体的工艺实验证 明，与传统工艺方法相比，该工艺方法可以在保持低漏电流的前提下．有效减少Ti鼠的损失，使得方块电阻降低 约18％．该工艺方法具有简单易行的特点。适用于大规模工业生产． 关键词：TiSi2；选择性腐蚀；工艺优化；RCAI溶液 405 中图分类号：TN 文献标识码：A 文章编号：0254—0037(2009)06—0738—04 由于金属硅化物具有较低的接触电阻。因此广泛应用于CMOS工艺．其制造工艺过程称为自对准金 属硅化物(self．aligned 用也最为广泛【2-3】．但是，在较小的线宽时，Ti与多晶硅的合金会出现问题，即接触电阻较大，因而对于金 的方法，即利用Ti与非晶硅合金好的特点来解决上述问题，此外还有其他方法的研究【5J，使得TiSi2从很 大程度上摆脱了窄线宽影响．因此，TiSi2目前仍然是工业界主要应用的金属硅化物．在常规的TiSi2工艺 步骤中，中间一步的选择性腐蚀必须进行过腐蚀，这会造成TiSi：的损失，增大接触电阻．通过对现有工艺 具体步骤的深入分析，作者提出了一种优化的工艺方法，采用2次选择性腐蚀以有效地减小TiSi2的损失， 并且对该方法的内部机理进行了分析，通过实验证实了该方法的有效性与可行性． 1 TiSi2工艺方法 I．I传统TiSi2工艺 Salicide工艺流 目前应用于CMOS制造的TiSi2 l 清洁表面(使用HF)：淀积n Salicide工艺需 程，如图1所示．从图中可看出，TiSi2 I 要进行2次热退火过程。这是由其自身特点决定的， l第1 RTA：低温，N2。@成C49TiSi2 thermal 并且2次退火采用的都是快速热退火(rapid ● annealing。简称RTA)技术【6】．在第1次退火时，为了 l选择性腐蚀：RCAl溶液．RCA2溶液 使Ti与si发生充分的反应，需要在相对较低的温度 I l第2次RTA：高温。N2，生成c54TiSi2 下退火(500～700℃)，生成C49TiSi2，其电阻率较 高，为0．6～0．7 tA2·ITI，此外N2氛围也能确保Ti和 图1传统TiSi2工艺流程 si充分反应而不受氧化的影响；然后进行选择性腐 flow Fig．1TraditionalTiSi2process 蚀，腐蚀溶液包括RCAl(NH40H：H202：H20=I：1： TiSi2，其电阻率为O．13--0．16田·m． Ti，OyNzl7]；之后进行第2次高温退火(700～900℃)，生成低阻的C54 收稿日期：2008—03．14． 基金项目：北京市教委科技发展计划资助项目(KM200510005022)．