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07_01_半导体的基本能带结构 —— 半导体电子论 第七章 半导体电子论 半导体材料 —— 一种特殊的固体材料 固体能带理论的发展 —— 半导体的研究起到了推动作用 半导体材料与技术的应用发展 —— 固体物理研究的深度与广度产生了推进作用 半导体 电子的运动是多样化的 材料性质 与杂质__光照__温度__压力 等因素有密切关系 半导体物理的研究 —— 进一步揭示材料中电子各种形式的运动 —— 阐明电子运动的规律 07_01 半导体的基本能带结构 一般温度下__热激发使价带顶部有少量的空穴 导带底部有少量的电子 载流子 —— 电子和空穴决定了半导体导电能力 1 半导体的带隙 本征光吸收 —— 光照将价带中的电子激发到导带中 形成电子 — 空穴对 光子能量满足 长波极限 本征吸收边 —— 发生本征光吸收的最大光的波长 2 本征边附近光的跃迁 1) 竖直跃迁 —— 直接带隙半导体 —— 电子吸收光子从价带顶 跃迁到导带底 状态 能量_动量守恒 光子的波矢 —— 跃迁的过程中__电子的波矢可以看作是不变的 准动量守恒的选择定则 —— 电子初态和末态几乎在一条竖直线上 价带顶和导带底处于 k 空间的同一点 —— 竖直跃迁 直接带隙半导体 2) 非竖直跃迁 —— 间接带隙半导体 —— 电子吸收光子的同时 伴随吸收或发出一个声子 且 过程满足能量守恒 能量守恒 —— 电子吸收光子从价带顶 跃迁到导带底 状态 动量守恒 能量守恒 —— 声子的准动量 与电子的相仿 声子的能量 —— 忽略不计 —— 不计光子的动量 非竖直跃迁 —— 二级过程，发生几率比起竖直跃迁小得多 零带隙半导体 —— 带隙宽度为零 —— 非竖直跃迁过程中 —— 光子提供电子跃迁所需的能量 —— 声子提供电子跃迁所需的动量 —— 间接带隙半导体 本征光吸收 电导率和温度的关系 电子－空穴对复合发光 本征光吸收的逆过程 带隙宽度的测量 —— 导带底的电子跃迁 到价带顶的空能级 发出能量约为 带隙宽度的光子 3 带边有效质量 半导体基本参数之一 —— 导带底附近电子的有效质量 价带顶附近空穴的有效质量 将电子能量 按极值波矢 展开 在极值 处，能量具有极值 有效质量 有效质量的计算 动量算符 作用于布洛赫函数 —— 微扰法 第n个能带电子的波函数 满足 —— 布洛赫波 —— 方程的解为晶格周期性函数 求解方程 利用周期性函数解的条件 布里渊区其它任一点 的解可以用 来表示 如果已知 处的解 得到电子的全部能量 微扰法的思想 布里渊区中心 用微扰法求 附近的 和 满足的方程 已知晶体中电子在 的所有状态 零级波函数 —— 微扰项 标记为 —— 假设能带是非简并情况 能量一级修正 —— 为 的一次项 因为 能量二级修正 选择 为主轴方向 比较 —— 消去交叉项 诸多的 中如果存在一个态 —— 不为零 —— 很小 将起主要作用 —— 导带?点附近的有效质量 —— 主要作用是价带 ____ 导带底与价带顶能量差最小 —— 只保留起主要作用的一项__分母能量差是带隙宽度 —— 带隙宽度越小__有效质量越小 有效质量 几种半导体材料的带隙宽度与有效质量 GaAs 1.5 eV 0.07 m 21 InP 1.3 eV 0.07 m 19 GaSb 0.8 eV 0.04 m 17 InAs 0.46 eV 0.02 m 23 InSb 0.26 eV 0.013 m 20 的情况 使 总是沿着对称轴的方向（111等） —— 有效质量往往是各向异性的 —— 沿着对称轴方向的有效质量称为纵有效质量 —— 垂直于对称轴方向的有效质量称为横向有效质量 —— 在纵向和横向方向有贡献的n’能带不同 纵向有效质量和横向有效质量是不同的 利用回旋共振方法测得的 Ge, Si 导带的有效质量 ? 1.64 0.082 0.98 0.